[发明专利]一种硅片一次负压扩散工艺有效
| 申请号： | 201710615675.0 | 申请日： | 2017-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN109308996B | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 李亚哲;王彦君;孙晨光;徐长坡;陈澄;武卫;梁效峰;黄志焕;杨玉聪;李丽娟;朱建佶 | 申请（专利权）人： | 天津环鑫科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/228 | 分类号： | H01L21/228 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 300380 天津市西青区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅片一次负压扩散工艺，包括如下步骤：对双面减薄后的硅片进行扩散前处理，处理后的硅片进行印刷扩散源，采用丝网印刷工艺对处理后的硅片一面印刷磷扩散源，另一面印刷硼扩散源或硼铝扩散源；将硅片相同扩散源的面相对进行叠片装舟；在扩散炉内进行低压扩散并进行扩散后处理。本发明的有益效果是采用丝网印刷工艺在硅片两面分别印刷磷扩散源、硼扩散源或硼铝扩散源，使得硅片液态源的涂覆流程得到简化，且加工周期得以缩减；液态源涂覆后采用一次负压扩散工艺，减轻硅片边缘返源情况，且该扩散工艺步骤简化，提高了扩散效率；采用该工艺方法进行硅片液态源一次扩散，使得制作的PN结均匀，使得硅片的加工成本降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 一次 扩散 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种硅片一次负压扩散工艺，其特征在于：包括如下步骤：1)低压扩散：将涂覆扩散源后的硅片在扩散炉内进行低压扩散。
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- 本发明提供一种硅片一次负压扩散工艺，包括如下步骤：对双面减薄后的硅片进行扩散前处理，处理后的硅片进行印刷扩散源，采用丝网印刷工艺对处理后的硅片一面印刷磷扩散源，另一面印刷硼扩散源或硼铝扩散源；将硅片相同扩散源的面相对进行叠片装舟；在扩散炉内进行低压扩散并进行扩散后处理。本发明的有益效果是采用丝网印刷工艺在硅片两面分别印刷磷扩散源、硼扩散源或硼铝扩散源，使得硅片液态源的涂覆流程得到简化，且加工周期得以缩减；液态源涂覆后采用一次负压扩散工艺，减轻硅片边缘返源情况，且该扩散工艺步骤简化，提高了扩散效率；采用该工艺方法进行硅片液态源一次扩散，使得制作的PN结均匀，使得硅片的加工成本降低。
- 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法-202010684142.X
- J.托尔;J.马吉蒂斯;D.科恩 - ASMIP私人控股有限公司
- 2020-07-16 - 2021-02-02 - H01L21/228
- 公开了一种用于形成掺杂层的方法。该掺杂层可用在NMOS或硅锗应用中。例如，可在n‑型掺杂剂应用中使用n‑型卤化物物种来创建掺杂层。
- 一种快恢复二极管的制造方法-201910681759.3
- 郭润庆;郭继军;操国宏;李勇;朱为为;王政英;宋胜兰;姚震洋;王东东;吴志华 - 株洲中车时代半导体有限公司
- 2019-07-26 - 2021-02-02 - H01L21/228
- 本发明提供了一种快恢复二极管的制造方法。该方法采用液态硼源涂敷工艺替代硼离子注入工艺，在现有生产线条件下即可实现硼源涂敷及扩散，且液态硼源的成本远低于硼离子注入用靶材，最重要的是避免了价格高昂的离子注入设备投入，显著降低了生产成本及固资投入费用；采用控制精度更高的质子辐照工艺以替换存在污染生产线风险且可控性差、重复性差的掺金/铂工艺，精确控制FRD芯片的少子寿命，提高了器件的参数一致性，同时将FRD的反向恢复软度因子提高到0.7以上，降低了FRD反向恢复峰值电压，进而降低了其工作中所需承受的电应力，提高了FRD的应用长期可靠性。
- 一种向硅衬底扩散铂或金的方法及快恢复二极管制备方法-201910410169.7
- 刘勇强;敖利波;曾丹;陈兆同;陈道坤 - 珠海零边界集成电路有限公司;珠海格力电器股份有限公司
- 2019-05-17 - 2020-11-17 - H01L21/228
- 本申请涉及半导体器件制备技术领域，公开一种向硅衬底扩散铂或金的方法及快恢复二极管制备方法，其中，向硅衬底扩散铂或金的方法包括以下步骤：去除硅衬底的主结区域的氧化层；在硅衬底主结区域露出的表面滴上含有铂原子或金原子的六甲基二硅胺烷溶液；将六甲基二硅胺烷溶液旋涂于硅衬底主结区域露出的表面；软烘，使六甲基二硅胺烷溶液变为固态；去除固态六甲基二硅胺烷；对硅衬底进行热退火。上述方法抛弃了现有技术中直流溅射的传统方案，而是将含有铂原子或金原子的六甲基二硅胺烷溶液旋涂于主结区域，经过软烘并去除固态六甲基二硅胺烷后，退火，即可使铂原子或金原子扩散进主结区域内，引入复合中心，达到减小反向恢复时间的目的。
- 一种掺磷乳胶源及制备方法-201810555900.0
- 吴步凌 - 吴步凌
- 2018-05-31 - 2020-06-19 - H01L21/228
- 本发明公开了一种掺磷乳胶源，包括以下按照重量份的原料：正硅酸乙酯100‑120份、无水乙醇250‑350份、冰乙酸36‑50份、五氧化二磷45‑60份。本发明还公开了所述的掺磷乳胶源的制备方法。本发明的发明是专为二极管制造、太阳能芯片制造而研制的；该发明可用于电子行业较多领域，应用广泛；使用简单方便，毒性小。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
