[发明专利]一种具有半球光子晶体复周期结构的高出光效率二极管在审

专利信息
申请号: 201710614758.8 申请日: 2017-07-26
公开(公告)号: CN107464866A 公开(公告)日: 2017-12-12
发明(设计)人: 葛道晗;黄修康;张立强;张金花;卢乐;程广贵;丁建宁 申请(专利权)人: 江苏大学
主分类号: H01L33/06 分类号: H01L33/06;H01L33/16
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 212013 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种具有半球光子晶体复周期结构的高出光效率二极管,包括至下而上依次连接的蓝宝石衬底、缓冲层、N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层;所述P型半导体层上设有正方晶格的半球光子晶体复周期结构阵列;所述半球光子晶体复周期结构阵列包括若干大半球和小半球,所述大半球的直径大于小半球的直径;所述大半球以晶格常数为a的正方排列,所述小半球也是以晶格常数为a的正方排列均匀布置在大半球的排列中,且所述相邻的大半球和小半球间隔分布组成三角形排列。本发明利用有限时域差分法,在P型半导体层上设计一种简单的大小半球复周期光子晶体结构,使LED的出光率大幅度提高,是普通LED的8.3倍左右。
搜索关键词: 一种 具有 半球 光子 晶体 周期 结构 高出光 效率 二极管
【主权项】:
一种具有半球光子晶体复周期结构的高出光效率二极管,其特征在于,包括至下而上依次连接的蓝宝石衬底(1)、缓冲层(2)、N型半导体层(3)、多量子阱层(4)和P型半导体层(5);所述P型半导体层(5)上设有正方晶格的半球光子晶体复周期结构阵列;所述半球光子晶体复周期结构阵列包括若干大半球(6)和小半球(7),所述大半球(6)的直径大于小半球(7)的直径;所述大半球(6)以晶格常数为a的正方排列,所述小半球(7)也是以晶格常数为a的正方排列均匀布置在大半球(6)的排列中,且所述相邻的大半球(6)和小半球(7)间隔分布组成三角形排列。
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