[发明专利]背面有橄榄形凹坑的磷化铟晶片、制法及所用腐蚀液有效
| 申请号： | 201710611710.1 | 申请日： | 2017-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN109290874B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 王留刚;李海淼;朱颂义 | 申请（专利权）人： | 北京通美晶体技术有限公司 |
| 主分类号： | B24B7/22 | 分类号： | B24B7/22;B24B37/10;C30B33/10;C30B29/40 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人： | 钟守期;侯婧 |
| 地址： | 101113 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种{100}磷化铟(InP)晶片，其背面有橄榄形凹坑，其中所述橄榄形是指两头细中间宽的形状，例如椭圆形。本发明还涉及制备该{100}磷化铟(InP)晶片的方法及所用腐蚀液。本发明的{100}磷化铟(InP)晶片表面形貌规则，在外延生长中受热均匀，应用效果好。 | ||
| 搜索关键词： | 背面 橄榄 形凹坑 磷化 晶片 制法 所用 腐蚀 | ||
【主权项】：
1.一种{100}磷化铟(InP)晶片，其背面有橄榄形凹坑，其中所述橄榄形是指两头细中间宽的形状，例如椭圆形。
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