[发明专利]背面有橄榄形凹坑的磷化铟晶片、制法及所用腐蚀液

权利要求书

1.一种{100}磷化铟InP晶片，其背面有橄榄形凹坑，其中所述橄榄形是指两头细中间宽的形状，所述橄榄形凹坑呈规则分布，即各橄榄形凹坑按椭圆形计，其各个长轴之间或各个短轴之间的夹角按锐角计不超过10°，并且所述橄榄形凹坑的长轴长度平均值为3-50微米，短轴长度平均值为1-30微米，凹坑的最大深度为5.0微米，排除端点5.0微米，坑深大于2.0微米的橄榄形凹坑所占的比例不低于30％，以及

晶片分布有橄榄形凹坑的面的表面粗糙度Ra在0.2-1.5微米范围内。

2.根据权利要求1所述的{100}磷化铟InP晶片，其特征在于，各个长轴之间或各个短轴之间的夹角按锐角计不超过6°。

3.根据权利要求1或2所述的{100}磷化铟InP晶片，其特征在于，所述{100}磷化铟InP晶片一面具有橄榄形凹坑，或者在两面均具有橄榄形凹坑。

4.根据权利要求1所述的{100}磷化铟InP晶片，其特征在于，背面凹坑的最大深度为3.5微米，坑深大于1.0微米的橄榄形凹坑所占的比例不低于30％。

5.根据权利要求4所述的{100}磷化铟InP晶片，其特征在于，背面凹坑的最大深度为3.5微米，坑深大于1.5微米的橄榄形凹坑所占的比例不低于20％。

6.一种制备权利要求1-5之一的{100}磷化铟InP晶片的方法，包括以下方案1或2之一：

方案1

---将{100}磷化铟InP晶片进行表面研磨；

---将表面研磨后的{100}磷化铟InP晶片的正面进行机械抛光、化学抛光；

---对{100}磷化铟InP晶片正面作保护；

---将{100}磷化铟InP晶片置于腐蚀液中进行腐蚀；

---将腐蚀后的{100}磷化铟晶片取出，用去离子水冲洗；

---去除{100}磷化铟晶片正面的保护；

其中腐蚀液包括酸性物质、去离子水和氧化剂；以摩尔比计，该腐蚀液中酸性物质、氧化剂和去离子水的比例为1:(0.02-0.6):(1.5-6)，腐蚀液的温度为15-95℃，腐蚀时间为10-600s；

方案2：

---将{100}磷化铟InP晶片进行表面研磨；

---将{100}磷化铟InP晶片置于腐蚀液中进行腐蚀；

---将腐蚀后的{100}磷化铟晶片取出，用去离子水冲洗；

---对腐蚀后的{100}磷化铟晶片背面作保护；

---对背面作保护的腐蚀后的{100}磷化铟晶片实施机械抛光、化学抛光，随后用去离子水清洗；

---去除{100}磷化铟晶片背面的保护；

其中腐蚀液包括酸性物质、去离子水和氧化剂；以摩尔比计，该腐蚀液中酸性物质、氧化剂和去离子水的比例为1:(0.02-0.6)：(1.5-6)，腐蚀液的温度为15-95℃，腐蚀时间为10-600s。

7.根据权利要求6所述的制备{100}磷化铟InP晶片的方法，其特征在于，在方案1或方案2中，以摩尔比计，该腐蚀液中酸性物质、氧化剂和去离子水的比例为1:(0.03-0.5):(2.5-5)。

8.根据权利要求6所述的制备{100}磷化铟InP晶片的方法，其特征在于，在本发明制备方法中，所述用于表面研磨的{100}磷化铟InP晶片从磷化铟晶棒切割而得。

9.根据权利要求8所述的制备{100}磷化铟InP晶片的方法，其特征在于，在切割步骤之后、表面研磨步骤之前，还对切出的晶片进行边缘倒角处理，使晶片边缘获得合适的圆弧。

10.根据权利要求6所述的制备{100}磷化铟InP晶片的方法，其特征在于，所述保护采用保护层，保护层为塑料片、金属片、玻璃片或陶瓷片，用蜂蜡或阿拉伯树胶将保护层固定至晶片；经过轻微加热将保护层脱除。