[发明专利]一种阵列基板及显示装置有效
申请号: | 201710591930.2 | 申请日: | 2017-07-19 |
公开(公告)号: | CN107316873B | 公开(公告)日: | 2020-03-10 |
发明(设计)人: | 贝亮亮;朱绎桦 | 申请(专利权)人: | 武汉天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 430074 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种阵列基板及显示装置,通过设计使半导体层、公共电极线、源漏金属层、公共电极层和像素电极层在衬底基板上的正投影在非开口区域具有共同的重叠区域,以使公共电极层和像素电极层之间在重叠区域处构成第一电容,公共电极层和源漏金属层之间在重叠区域处构成第二电容,半导体层与公共电极线之间在重叠区域处构成第三电容,进而使得第一电容、第二电容和第三电容并联后构成存储电容的一部份。在现有的开口区域内公共电极层和像素电极层形成已有的存储电容的基础上,通过在非开口区域增加并联的第一电容、第二电容和第三电容的方式,增大了阵列基板的存储电容,可以提高阵列基板的像素电压保持率,降低显示装置闪烁不良的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板,包括:衬底基板,在所述衬底基板上依次层叠设置的半导体层、栅绝缘层、栅金属层、层间介电层、源漏金属层、平坦层、公共电极层、钝化层和像素电极层,以及设置在所述衬底基板上的公共电极线;其中,所述半导体层、所述公共电极线、所述源漏金属层、所述公共电极层和所述像素电极层在所述衬底基板上的正投影具有共同的重叠区域;所述公共电极层和所述像素电极层之间在所述重叠区域处构成第一电容,所述公共电极层和所述源漏金属层之间在所述重叠区域处构成第二电容,所述半导体层与所述公共电极线之间在所述重叠区域处构成第三电容;所述第一电容、所述第二电容和所述第三电容并联后构成存储电容的一部份。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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