[发明专利]一种阵列基板及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括：衬底基板，在所述衬底基板上依次层叠设置的半导体层、栅绝缘层、栅金属层、层间介电层、源漏金属层、平坦层、公共电极层、钝化层和像素电极层，以及设置在所述衬底基板上的公共电极线；其中，

所述半导体层、所述公共电极线、所述源漏金属层、所述公共电极层和所述像素电极层在所述衬底基板上的正投影具有共同的重叠区域；

所述公共电极层和所述像素电极层之间在所述重叠区域处构成第一电容，所述公共电极层和所述源漏金属层之间在所述重叠区域处构成第二电容，所述半导体层与所述公共电极线之间在所述重叠区域处构成第三电容；

所述第一电容、所述第二电容和所述第三电容并联后构成存储电容的一部份。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅金属层具体包括：栅极、栅线和所述公共电极线；所述公共电极线与所述栅线平行；

所述公共电极线和所述源漏金属层之间在所述重叠区域处构成第四电容；所述第一电容、所述第二电容、所述第三电容和所述第四电容并联后构成存储电容的一部份。

3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：设置于所述衬底基板与所述半导体层之间的金属屏蔽层；

所述金属屏蔽层具体包括：屏蔽电极和所述公共电极线；

所述栅金属层具体包括：栅极和栅线；所述公共电极线与所述栅线平行。

4.如权利要求1-3任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述源漏金属层具体包括：源极接触电极和漏极接触电极；

所述重叠区域位于所述漏极接触电极所在区域。

5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述半导体层具体包括：源极、漏极和沟道区；

所述漏极接触电极通过第一接触孔与所述漏极相连，所述第一接触孔贯穿所述栅绝缘层和所述层间介电层；

所述漏极接触电极通过第二接触孔和第三接触孔与所述像素电极层相连，所述第二接触孔贯穿所述平坦层，所述第三接触孔贯穿所述钝化层，且所述第二接触孔在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第三接触孔在所述衬底基板上的正投影；

所述漏极接触电极分为打孔区域和所述重叠区域，所述第一接触孔、所述第二接触孔和所述第三接触孔位于所述打孔区域中。

6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一接触孔和所述第三接触孔在所述打孔区域中具有交叠区域。

7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述重叠区域为L型。

8.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述半导体层的图形为L型、U型或折线型。

9.如权利要求2或3所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极为两个。

10.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求1-9任一项所述的阵列基板。