[发明专利]高密度碳化硅陶瓷及其无压烧结方法在审
申请号: | 201710576481.4 | 申请日: | 2017-07-14 |
公开(公告)号: | CN107188595A | 公开(公告)日: | 2017-09-22 |
发明(设计)人: | 彭波 | 申请(专利权)人: | 芜湖乾凯材料科技有限公司 |
主分类号: | C04B35/82 | 分类号: | C04B35/82;C04B35/565;C04B35/63;C04B35/634;C04B35/636 |
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地址: | 241000 安徽省芜*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种高密度碳化硅陶瓷及其无压烧结方法,无压烧结方法包括将碳化硅、环氧树脂、膨润土、硅藻土、碳化硼、玻璃纤维、炭黑、石油焦和无水乙醇混合后进行球磨,得到浆料M;将浆料M干燥、造粒和陈腐后得到粉料N;将粉料N和烧结助剂混合后进行加压成型和烧结,得到高密度碳化硅陶瓷;解决了碳化硅陶瓷的特性使之很难在常压下烧结致密,制得的碳化硅陶瓷密度较低,气孔率较高,无法满足工业化生产的需求的问题。 | ||
搜索关键词: | 高密度 碳化硅 陶瓷 及其 烧结 方法 | ||
【主权项】:
一种高密度碳化硅陶瓷的无压烧结方法,其特征在于,无压烧结方法包括:(1)将碳化硅、环氧树脂、膨润土、硅藻土、碳化硼、玻璃纤维、炭黑、石油焦和无水乙醇混合后进行球磨,得到浆料M;(2)将浆料M干燥、造粒和陈腐后得到粉料N;(3)将粉料N和烧结助剂混合后进行加压成型和烧结,得到高密度碳化硅陶瓷;其中,加压成型采用三段加压成型的方式,第一段加压的条件至少包括:压力为30‑50MPa,保压时间为30‑40s;第二段加压的条件至少包括:压力为80‑90MPa,保压时间为15‑20s;第三段加压的条件至少包括:10‑20MPa,保压时间为30‑50s。
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