[发明专利]高密度碳化硅陶瓷及其无压烧结方法在审

专利信息
申请号: 201710576481.4 申请日: 2017-07-14
公开(公告)号: CN107188595A 公开(公告)日: 2017-09-22
发明(设计)人: 彭波 申请(专利权)人: 芜湖乾凯材料科技有限公司
主分类号: C04B35/82 分类号: C04B35/82;C04B35/565;C04B35/63;C04B35/634;C04B35/636
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地址: 241000 安徽省芜*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 高密度 碳化硅 陶瓷 及其 烧结 方法
【权利要求书】:

1.一种高密度碳化硅陶瓷的无压烧结方法,其特征在于,无压烧结方法包括:

(1)将碳化硅、环氧树脂、膨润土、硅藻土、碳化硼、玻璃纤维、炭黑、石油焦和无水乙醇混合后进行球磨,得到浆料M;

(2)将浆料M干燥、造粒和陈腐后得到粉料N;

(3)将粉料N和烧结助剂混合后进行加压成型和烧结,得到高密度碳化硅陶瓷;其中,加压成型采用三段加压成型的方式,第一段加压的条件至少包括:压力为30-50MPa,保压时间为30-40s;第二段加压的条件至少包括:压力为80-90MPa,保压时间为15-20s;第三段加压的条件至少包括:10-20MPa,保压时间为30-50s。

2.根据权利要求1所述的无压烧结方法,其中,相对于100重量份的碳化硅,环氧树脂的用量为20-40重量份,膨润土的用量为5-10重量份,硅藻土的用量为5-10重量份,碳化硼的用量为1-5重在量份,玻璃纤维的用量为2-4重量份,炭黑的用量为0.5-2.5重量份,石油焦的用量为0.5-1.5重量份,无水乙醇的用量为200-300重量份。

3.根据权利要求1或2所述的无压烧结方法,其中,在步骤(1)中,球磨的条件至少包括:球磨的速度为220-250r/min,球磨的时间为1-2h。

4.根据权利要求1或2所述的无压烧结方法,其中,在步骤(2)中,干燥的条件至少包括:干燥的温度为45-55℃,干燥的时间为2-4h;陈腐的条件至少包括:陈腐的时间为1-2h。

5.根据权利要求1或2所述的无压烧结方法,其中,烧结助剂的原料包括:氧化钙、氧化镁、三氧化二铝、滑石粉、硅微粉和纤维素;

相对于100重量份的氧化钙,氧化镁的用量为20-30重量份,三氧化二铝的用量为10-25重量份,滑石粉的用量为2-6重量份,硅微粉的用量为1-5重量份,纤维素的用量为1-3重量份。

6.根据权利要求5所述的无压烧结方法,其中,相对于100重量份的粉料N,烧结助剂的用量为8-12重量份。

7.根据权利要求1或2所述的无压烧结方法,其中,在步骤(3)中,烧结的条件至少包括:在氮气和/或氩气环境中进行烧结,且烧结的温度为1300-1500℃,烧结的时间为30-60min。

8.一种高密度碳化硅陶瓷,其特征在于,所述高密度碳化硅陶瓷由权利要求1-7中任意一项所述的无压烧结方法制得。

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