[发明专利]半导体器件及用于制造其的方法在审
| 申请号： | 201710569298.1 | 申请日： | 2017-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN108511524A | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 石城大;宋升珉;裵金钟 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件可以包括衬底、第一纳米线、栅电极、第一栅极间隔物、第二栅极间隔物、源极/漏极和间隔物连接器。第一纳米线可以在第一方向上延伸并与衬底间隔开。栅电极可以围绕第一纳米线的周边，并且在交叉第一方向的第二方向上延伸，并且包括彼此相对的第一侧壁和第二侧壁。第一栅极间隔物可以形成在栅电极的第一侧壁上。第一纳米线可以穿过第一栅极间隔物。第二栅极间隔物可以形成在栅电极的第二侧壁上。第一纳米线可以穿过第二栅极间隔物。源极/漏极可以设置在栅电极的至少一侧并与第一纳米线连接。间隔物连接器可以设置在第一纳米线与衬底之间。间隔物连接器可以将第一栅极间隔物和第二栅极间隔物彼此连接。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极间隔物 纳米线 栅电极 连接器 间隔物 衬底 半导体器件 源极/漏极 第二侧壁 第一侧壁 穿过 彼此连接 彼此相对 延伸 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底；第一纳米线，在第一方向上延伸并与所述衬底间隔开；栅电极，围绕所述第一纳米线的周边、在交叉所述第一方向的第二方向上延伸并包括彼此相对的第一侧壁和第二侧壁；第一栅极间隔物，形成在所述栅电极的所述第一侧壁上，其中所述第一纳米线穿过所述第一栅极间隔物；第二栅极间隔物，形成在所述栅电极的所述第二侧壁上，其中所述第一纳米线穿过所述第二栅极间隔物；源极/漏极，设置在所述栅电极的至少一侧并与所述第一纳米线连接；以及间隔物连接器，设置在所述第一纳米线与所述衬底之间，其中所述间隔物连接器将所述第一栅极间隔物和所述第二栅极间隔物彼此连接。
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