[发明专利]半导体器件及用于制造其的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

第一纳米线，在第一方向上延伸并与所述衬底间隔开；

栅电极，围绕所述第一纳米线的周边、在交叉所述第一方向的第二方向上延伸并包括彼此相对的第一侧壁和第二侧壁；

第一栅极间隔物，形成在所述栅电极的所述第一侧壁上，其中所述第一纳米线穿过所述第一栅极间隔物；

第二栅极间隔物，形成在所述栅电极的所述第二侧壁上，其中所述第一纳米线穿过所述第二栅极间隔物；

源极/漏极，设置在所述栅电极的至少一侧并与所述第一纳米线连接；以及

间隔物连接器，设置在所述第一纳米线与所述衬底之间，其中所述间隔物连接器将所述第一栅极间隔物和所述第二栅极间隔物彼此连接。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一栅极间隔物包括接触所述第一纳米线的顶表面和侧表面的第一外间隔物以及接触所述第一纳米线的下表面的第一内间隔物，

其中所述第二栅极间隔物包括接触所述第一纳米线的所述顶表面和所述侧表面的第二外间隔物以及接触所述第一纳米线的所述下表面的第二内间隔物，

其中所述第一外间隔物和所述第一内间隔物包括彼此不同的材料，以及

其中所述第二外间隔物和所述第二内间隔物包括彼此不同的材料。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一内间隔物和所述第二内间隔物包括彼此相同的材料。

4.如权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一外间隔物和所述第二外间隔物彼此间隔开，

其中所述第一内间隔物和所述第二内间隔物通过所述间隔物连接器彼此连接。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其中所述间隔物连接器以及所述第一内间隔物和所述第二内间隔物是单个一体的结构。

6.如权利要求1所述的半导体器件，还包括设置在所述第一纳米线上并在所述第一方向上延伸的第二纳米线，其中所述第一纳米线和所述第二纳米线彼此间隔开。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其中所述第一栅极间隔物包括第一外间隔物、第一上部内间隔物和第一下部内间隔物，所述第一外间隔物接触所述第二纳米线的顶表面和侧表面以及所述第一纳米线的侧表面，所述第一上部内间隔物接触所述第二纳米线的下表面以及所述第一纳米线的顶表面，所述第一下部内间隔物接触所述第一纳米线的下表面，以及

其中所述第二栅极间隔物包括第二外间隔物、第二上部内间隔物和第二下部内间隔物，所述第二外间隔物接触所述第二纳米线的所述顶表面和所述侧表面以及所述第一纳米线的所述侧表面，所述第二上部内间隔物接触所述第二纳米线的所述下表面以及所述第一纳米线的所述顶表面，所述第二下部内间隔物接触所述第一纳米线的所述下表面。

8.如权利要求7所述的半导体器件，其中所述第一上部内间隔物和所述第一下部内间隔物包括彼此相同的材料，以及

其中所述第二上部内间隔物和所述第二下部内间隔物包括彼此相同的材料。

9.如权利要求7所述的半导体器件，其中所述第一下部内间隔物和所述第二下部内间隔物通过所述间隔物连接器彼此连接。

10.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述间隔物连接器包括绝缘材料。