[发明专利]薄膜晶体管的制作方法及薄膜晶体管在审
申请号: | 201710565553.5 | 申请日: | 2017-07-12 |
公开(公告)号: | CN107393828A | 公开(公告)日: | 2017-11-24 |
发明(设计)人: | 李松杉 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L29/786;H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司11372 | 代理人: | 吴大建,何娇 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明涉及液晶显示器技术领域,具体涉及一种薄膜晶体管的制作方法及薄膜晶体管,该发法包括在玻璃基板上依次制作缓冲层、有源层、栅极绝缘层和栅极层并图形化处理;在缓冲层、有源层和栅极层上制作介电层并图形化处理;在介电层上制作源极和漏极,使源极和漏极与有源层相接触,对源极和漏极图形化处理;在介电层、源极和漏极上依次制作钝化层和有机光阻层,并对有机光阻层图形化处理;以有机光阻层为模具对钝化层干法刻蚀得到钝化层的孔;通过钝化层的孔制作有机发光器件。可以省掉一块模具,工艺简单,节省制造成本,而且显影液不会直接接触到由于钝化层过蚀刻造成的源漏极电极露出的铝,从而可以达到改善产品的特性的目的。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 制作方法 | ||
【主权项】:
薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,该方法包括:步骤S101:在基板上依次制作缓冲层、有源层、栅极绝缘层和栅极层并图形化处理;步骤S102:在所述缓冲层、有源层和栅极层上制作介电层并图形化处理;步骤S103:在所述介电层上制作源极和漏极,使所述源极和漏极穿过所述介电层与所述有源层相接触,对所述源极和漏极进行图形化处理;步骤S104:在所述介电层、源极和漏极上制作钝化层,在所述钝化层上制作有机光阻层,并对所述有机光阻层进行图形化处理;步骤S105:以所述有机光阻层为模具对所述钝化层进行干法刻蚀处理从而得到所述钝化层的孔;步骤S106:通过得到的所述钝化层的孔制作有机发光器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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