[发明专利]薄膜晶体管的制作方法及薄膜晶体管

权利要求书

1.薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，该方法包括：

步骤S101：在基板上依次制作缓冲层、有源层、栅极绝缘层和栅极层并图形化处理；

步骤S102：在所述缓冲层、有源层和栅极层上制作介电层并图形化处理；

步骤S103：在所述介电层上制作源极和漏极，使所述源极和漏极穿过所述介电层与所述有源层相接触，对所述源极和漏极进行图形化处理；

步骤S104：在所述介电层、源极和漏极上制作钝化层，在所述钝化层上制作有机光阻层，并对所述有机光阻层进行图形化处理；

步骤S105：以所述有机光阻层为模具对所述钝化层进行干法刻蚀处理从而得到所述钝化层的孔；

步骤S106：通过得到的所述钝化层的孔制作有机发光器件。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于：在步骤S101中，使用光刻工艺对所述缓冲层、有源层、栅极绝缘层和栅极层进行图形化处理。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于：在步骤S103中，对所述源极及漏极与所述有源层的接触区域进行等离子体导体化处理。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于：所述等离子体为电离的氮气或氩气或氦气或氨气。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于：在步骤S104中，使用等离子体增强化学气相沉积法沉积所述钝化层。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于：步骤S106进一步包括：

步骤S1061：在所述有机光阻层上制作铟锡氧化物电极，使所述铟锡氧化物电极穿过所述钝化层的孔与所述源极或漏极相接触，对所述铟锡氧化物电极图形化处理；

步骤S1062：在所述有机光阻层和铟锡氧化物电极上制作像素定义层并图形化处理；

步骤S1063：在所述铟锡氧化物电极上蒸镀有机发光材料以形成有机发光器件。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于：所述钝化层材料为纳米硅氧化物。

8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于：所述源极和漏极为钼或铝材质。

9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于：所述介电层材料为纳米硅氧化物。

10.利用权利要求1-9中任一项所述的薄膜晶体管的制作方法制作的薄膜晶体管，其特征在于，包括：

基板，在所述基板上依次设置有缓冲层、有源层、栅极绝缘层和栅极层；

在所述缓冲层、有源层和栅极层上还设置有介电层，所述介电层上设置有源极和漏极，所述源极和漏极穿过所述介电层与所述有源层相接触；

所述介电层、源极和漏极上设置有钝化层，所述钝化层上设置有有机光阻层；

所述有机光阻层上设置有铟锡氧化物电极，所述铟锡氧化物电极穿过所述钝化层的孔与所述源极或漏极相接触；

在所述有机光阻层和铟锡氧化物电极上设置有像素定义层；

在所述像素定义层内设置有有机发光器件，且所述有机发光器件穿过所述像素定义层与所述铟锡氧化物电极相接触。