[发明专利]体声波滤波器装置及制造该体声波滤波器装置的方法有效
申请号: | 201710564814.1 | 申请日: | 2017-07-12 |
公开(公告)号: | CN107623500B | 公开(公告)日: | 2021-03-09 |
发明(设计)人: | 林昶贤;金汉泰;李泰勋;李泰京;金泰润 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | H03H3/02 | 分类号: | H03H3/02;H03H9/02;H03H9/05;H03H9/56;H03H9/58 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 孙丽妍;金光军 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种体声波滤波器装置及制造该体声波滤波器装置的方法。所述体声波滤波器装置包括:第一层,与基板一起形成气隙;下电极,设置在所述第一层之上;压电层,设置为覆盖所述下电极的一部分;上电极,设置在所述压电层之上;框架层,设置在所述上电极之上或者之下;以及下电极增强层,设置在所述下电极的除了设置有所述压电层的部分之外的部分上。所述下电极增强层通过在形成所述上电极时使所述下电极增强层与所述上电极分开而形成或者通过在形成所述框架层时使所述下电极增强层与所述框架层分开而形成。 | ||
搜索关键词: | 声波 滤波器 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种体声波滤波器装置,包括:第一层,与基板一起形成气隙;下电极,设置在所述第一层之上;压电层,设置为覆盖所述下电极的一部分;上电极,设置在所述压电层之上;框架层,设置在所述上电极之上或之下;以及下电极增强层,设置在所述下电极的除了设置有所述压电层的部分之外的部分上,其中,所述下电极增强层通过在形成所述上电极时使所述下电极增强层与所述上电极分开而形成或者通过在形成所述框架层时使所述下电极增强层与所述框架层分开而形成。
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