[发明专利]体声波滤波器装置及制造该体声波滤波器装置的方法

说明书

本发明提供一种体声波滤波器装置及制造该体声波滤波器装置的方法。所述体声波滤波器装置包括：第一层，与基板一起形成气隙；下电极，设置在所述第一层之上；压电层，设置为覆盖所述下电极的一部分；上电极，设置在所述压电层之上；框架层，设置在所述上电极之上或者之下；以及下电极增强层，设置在所述下电极的除了设置有所述压电层的部分之外的部分上。所述下电极增强层通过在形成所述上电极时使所述下电极增强层与所述上电极分开而形成或者通过在形成所述框架层时使所述下电极增强层与所述框架层分开而形成。

本申请要求于2016年7月14日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0089387号以及于2016年11月28日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0159251号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。

技术领域

以下描述涉及一种体声波滤波器装置及制造该体声波滤波器装置的方法。

背景技术

近来，根据通信技术的飞速发展，存在对开发信号处理技术以及射频(RF)组件技术的需求。

具体地，根据无线通信装置小型化的趋势，存在对小型化的射频组件的积极需求。已经通过使用制造半导体薄膜晶圆的技术将滤波器制造为体声波(BAW)谐振器来实现射频组件中的滤波器的小型化。

体声波(BAW)谐振器将如下的薄膜型元件实现为滤波器：其中压电介电材料沉积在作为半导体基板的硅晶圆上，以通过利用压电介电材料的压电特性来产生谐振。体声波(BAW)谐振器的应用领域包括诸如移动通信装置、化学和生物装置以及其它类似装置中使用的那些小且重量轻的滤波器、振荡器、谐振元件以及声谐振质量传感器。

此外，已经研究了各种结构形状和功能来增强体声波谐振器的功能和结构特性，并且有必要开发减小体声波谐振器的特性变化的结构和技术。

发明内容

提供本发明内容以按照简化形式介绍选择的构思，以下在具体实施方式中进一步描述所述构思。本发明内容并不意在确定所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用于帮助确定所要求保护的主题的范围。

根据实施例，提供一种体声波滤波器装置，所述体声波滤波器装置包括：第一层，与基板一起形成气隙；下电极，设置在所述第一层之上；压电层，设置为覆盖所述下电极的一部分；上电极，设置在所述压电层之上；框架层，设置在所述上电极的之上或者之下；以及下电极增强层，设置在所述下电极的除了可设置有所述压电层的部分之外的部分上，其中，所述下电极增强层可通过在形成所述上电极时使所述下电极增强层与所述上电极分开而形成或者通过在形成所述框架层时使所述下电极增强层与所述框架层分开而形成。

所述下电极增强层可由与所述下电极相同的材料形成，或由包含与所述下电极相同的材料的材料形成。

所述体声波滤波器装置还可包括第二层，所述第二层形成在覆盖所述气隙的所述第一层之上。

所述体声波滤波器装置还可包括第三层，所述第三层设置在所述第一层之上，覆盖所述上电极的除了支撑金属焊盘的部分之外的部分，且不覆盖所述下电极增强层。

金属焊盘可形成在所述下电极增强层和所述上电极或所述框架层上。

所述下电极增强层的厚度对应于所述上电极或所述框架层的厚度。

所述体声波滤波器装置还可包括金属焊盘，所述金属焊盘设置在所述下电极增强层之上。

所述下电极增强层可与所述上电极同时形成，并且所述上电极和所述下电极增强层可通过图案化彼此分开。

所述下电极增强层可与所述框架层同时形成，并且所述框架层和所述下电极增强层可通过图案化彼此分开。