[发明专利]超结金属氧化物场效应晶体管在审
| 申请号： | 201710564634.3 | 申请日： | 2017-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN107293580A | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | 龙霞 | 申请（专利权）人： | 龙霞 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙)44419 | 代理人： | 曹明兰 |
| 地址： | 443000 湖北省宜昌*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种超结金属氧化物场效应晶体管。所述超结金属氧化物场效应晶体管包括N型衬底、形成于N型衬底表面的N型外延层、形成于N型外延层内部的P型深阱、形成于P型深阱上方的P型低掺杂区、形成于所述N型衬底及所述P型低掺杂区上方的第一氧化层、形成于所述N型外延层内且夹于所述P型深阱与所述N型衬底之间的第二氧化层、位于所述N型外延层内且连接于所述第一氧化层与第二氧化层之间的第三氧化层、及形成于所述第三氧化层中且与所述第一氧化层相接的TEOS结构。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种超结金属氧化物场效应晶体管，其特征在于，所述超结金属氧化物场效应晶体管包括N型衬底、形成于N型衬底表面的N型外延层、形成于N型外延层内部的P型深阱、形成于P型深阱上方的P型低掺杂区、形成于所述N型衬底及所述P型低掺杂区上方的第一氧化层、形成于所述N型外延层内且夹于所述P型深阱与所述N型衬底之间的第二氧化层、位于所述N型外延层内且连接于所述第一氧化层与第二氧化层之间的第三氧化层、及形成于所述第三氧化层中且与所述第一氧化层相接的TEOS结构，所述超结金属氧化物场效应晶体管还分为主结区域及位于所述主结区域一侧的终端区域，所述主结区域对应所述P型低掺杂区，所述第一氧化层从所述终端区域的N型外延层表面延伸至所述主结区域的P型低掺杂区表面，所述第二氧化层位于所述终端区域及所述主结区域，所述第三氧化层及所述TEOS结构均位于所述终端区域。
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