[发明专利]超结金属氧化物场效应晶体管

权利要求书

1.一种超结金属氧化物场效应晶体管，其特征在于，所述超结金属氧化物场效应晶体管包括N型衬底、形成于N型衬底表面的N型外延层、形成于N型外延层内部的P型深阱、形成于P型深阱上方的P型低掺杂区、形成于所述N型衬底及所述P型低掺杂区上方的第一氧化层、形成于所述N型外延层内且夹于所述P型深阱与所述N型衬底之间的第二氧化层、位于所述N型外延层内且连接于所述第一氧化层与第二氧化层之间的第三氧化层、及形成于所述第三氧化层中且与所述第一氧化层相接的TEOS结构，所述超结金属氧化物场效应晶体管还分为主结区域及位于所述主结区域一侧的终端区域，所述主结区域对应所述P型低掺杂区，所述第一氧化层从所述终端区域的N型外延层表面延伸至所述主结区域的P型低掺杂区表面，所述第二氧化层位于所述终端区域及所述主结区域，所述第三氧化层及所述TEOS结构均位于所述终端区域。

2.如权利要求1所述的超结金属氧化物场效应晶体管，其特征在于，所述第三氧化层连接于所述第一氧化层与所述第二氧化层之间。

3.如权利要求2所述的超结金属氧化物场效应晶体管，其特征在于，所述TEOS结构位于所述第三氧化层中且连接所述第一氧化层。

4.如权利要求3所述的超结金属氧化物场效应晶体管，其特征在于，所述第二氧化层从所述终端区域远离所述主结区域的一端延伸至所述主结区域远离所述终端区域的一端，所述第二氧化层远离所述主结区域的一端位于所述超结金属氧化物场效应晶体管的最边缘，所述第二氧化层远离所述终端区域的一端与所述主结区域的P型低掺杂区下方的远离所述终端区域的P型深阱的远离所述终端区域的一侧平齐。

5.如权利要求4所述的超结金属氧化物场效应晶体管，其特征在于，所述第三氧化层远离所述主结区域的一端至所述主结区域远离所述终端区域的一端的长度小于等于所述第二氧化层从所述超结金属氧化物场效应晶体管的最边缘至所述第二氧化层远离所述终端区域的一端的长度。

6.如权利要求5所述的超结金属氧化物场效应晶体管，其特征在于，所述第三氧化层邻近所述主结区域的一端至所述主结区域远离所述终端区域的一端的长度大于所述主结区域从邻近所述终端区域的一端至远离所述终端区域的一端的长度。

7.如权利要求1所述的超结金属氧化物场效应晶体管，其特征在于，所述第二氧化层通过在所述N型外延侧内注氧后对所述N型外延层进行高温氧化、硅片键合、或者键合与注入相结合的方式形成于所述N型外延层中，所述第二氧化层的材料为氧化硅。

8.如权利要求1所述的超结金属氧化物场效应晶体管，其特征在于，所述第三氧化层及所述TEOS结构通过先在所述N型外延层中形成沟槽、再通过所述沟槽热氧化所述N型外延层形成所述第二氧化层、然后在所述沟槽内通过低压力化学气相沉积法生长所述TEOS结构、以及回刻的方式形成。

9.如权利要求1所述的超结金属氧化物场效应晶体管，其特征在于，所述第二氧化层的厚度在8000埃至15000埃的范围内。

10.如权利要求1所述的超结金属氧化物场效应晶体管，其特征在于，位于所述N型外延层与所述TEOS结构之间的所述第三氧化层的厚度在1000埃至2000埃的范围内。