[发明专利]具有非易失性双列直插存储器模块的异步DRAM刷新的正常关机在审

专利信息
申请号: 201710558130.0 申请日: 2017-07-10
公开(公告)号: CN107591171A 公开(公告)日: 2018-01-16
发明(设计)人: 韩冬;R-H·邵;许亮 申请(专利权)人: 美超微电脑股份有限公司
主分类号: G11C5/14 分类号: G11C5/14
代理公司: 北京市金杜律师事务所11256 代理人: 酆迅
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 通过向异步动态随机存取存储器刷新(ADR)触发设备发送命令以声明ADR触发来启动计算机系统的正常关机。响应于该命令,ADR触发设备将声明ADR触发以启动计算机系统的非易失性双列直插存储器模块(NVDIMM)的ADR。响应于ADR触发被ADR触发设备所声明,NVDIMM的ADR在计算机的正常关机完成之前被执行。
搜索关键词: 具有 非易失性双列直插 存储器 模块 异步 dram 刷新 正常 关机
【主权项】:
一种执行计算机系统的正常关机的方法,所述方法包括:使能对电源管理控制寄存器的写操作的捕获;响应于接收到执行所述计算机系统的正常关机的指令,写入到所述电源管理控制寄存器以将所述计算机系统置于软关机状态;响应于写入到所述电源管理控制寄存器以将所述计算机系统置于所述软关机状态,由所述计算机系统的中央处理单元(CPU)进入系统管理模式并且运行系统管理模式中断(SMI)处理程序;发送原始设备制造商(OEM)命令以声明异步动态随机存取存储器刷新(ADR)触发;以及响应于接收到所述OEM命令,声明所述ADR触发以在完成所述计算机系统的所述正常关机之前执行所述ADR,其中所述ADR将内容从非易失性双列直插存储器模块(NVDIMM)的易失性存储器传输至所述NVDIMM的非易失性存储器。
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