[发明专利]纳米线晶体管及其形成方法在审
| 申请号： | 201710550773.0 | 申请日： | 2017-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN109216454A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 唐粕人 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种纳米线晶体管及其形成方法，其中，所述形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成组合结构，所述组合结构包括一个或多个层叠设置的组合层，所述组合层包括位于所述衬底上的牺牲层和位于所述牺牲层上的沟道层，所述沟道层和牺牲层的材料不相同；对所述组合结构侧壁的牺牲层进行刻蚀，在所述组合结构侧壁表面形成凹陷；在所述凹陷暴露出的牺牲层表面形成隔离层；形成所述隔离层之后，在所述组合结构两侧的衬底上形成源漏掺杂层，所述源漏掺杂层与所述牺牲层之间具有所述隔离层；形成源漏掺杂层之后，去除剩余的牺牲层；形成包围所述沟道层的栅极结构。所形成的晶体管能够降低寄生电容，改善晶体管性能。 | ||
| 搜索关键词： | 牺牲层 组合结构 衬底 掺杂层 隔离层 沟道层 源漏 纳米线晶体管 组合层 晶体管 凹陷 表面形成 侧壁表面 层叠设置 寄生电容 栅极结构 侧壁 刻蚀 去除 包围 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种纳米线晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成组合结构，所述组合结构包括一个或多个层叠设置的组合层，所述组合层包括位于所述衬底上的牺牲层和位于所述牺牲层上的沟道层，所述沟道层和牺牲层的材料不相同；对所述组合结构侧壁的牺牲层进行刻蚀，在所述组合结构侧壁表面形成凹陷；在所述凹陷暴露出的牺牲层表面形成隔离层；形成所述隔离层之后，在所述组合结构两侧的衬底上形成源漏掺杂层，所述源漏掺杂层与所述牺牲层之间具有所述隔离层；形成源漏掺杂层之后，去除剩余的牺牲层；去除剩余的牺牲层之后，形成包围所述沟道层的栅极结构。
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