[发明专利]单面POLO电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201710549206.3 | 申请日： | 2017-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN107275418A | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 刘阳;孙铁囤;姚伟忠 | 申请（专利权）人： | 常州亿晶光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙)32258 | 代理人： | 朱丽莎 |
| 地址： | 213000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及太阳能电池制备技术领域，尤其涉及一种单面POLO电池及其制备方法，利用氧化硅加多晶硅层进行背面钝化，其一作用是不仅钝化了背面的表面缺陷，增加弱光的响应，也钝化了背面的金属与半导体的接触，减少了接触负电荷值；其二是由于是全钝化，没有点接触，其基区没有少子或多子的横向传输，其三是多晶硅为间接带隙，电流损失小。 | ||
| 搜索关键词： | 单面 polo 电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种单面POLO电池，其特征在于：包括硅片基底(1)，所述硅片基底(1)的正面采用PERC太阳能电池制备方法从内到外依次形成钝化层以及减反射层，硅片基底(1)背面由内向外依次设置有SiOx隧穿氧化层(2)、多晶硅层(3)以及ITO导电薄膜层(4)。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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