[发明专利]半导体存储装置及其读出方法有效
| 申请号： | 201710545490.7 | 申请日： | 2017-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN107785050B | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 山内一贵 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;G11C16/24 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体存储装置及其读出方法，抑制对位线进行预充电时的峰值电流。本发明的闪速存储器的读出方法包括下述步骤：对选择位线进行预充电；以及对经预充电的选择位线的电压或电流进行读出。进行预充电的步骤是在时刻(t1)将读出节点(SNS)预充电至Vcc‑Vth，在时刻(t2)将节点(TOBL)预充电至VCLAMP2，在时刻(t5)将节点(TOBL)预充电至VCLAMP1，在时刻(t6)将读出节点(SNS)预充电至Vcc。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 及其 读出 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储装置的读出方法，所述读出方法的特征在于包括下述步骤：对选择位线进行预充电；以及对经预充电的所述选择位线的电压或电流进行读出，所述对选择位线进行预充电的步骤包括下述步骤：将读出节点预充电至第1电压；对于位于所述读出节点与位线之间的位线用节点，基于所述读出节点的所述第1电压，将所述位线用节点预充电至第1箝位电压；在通过所述第1箝位电压对所述选择位线进行预充电后，将所述位线用节点预充电至比所述第1箝位电压大的第2箝位电压；以及将所述读出节点预充电至比所述第1电压大的第2电压。
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