[发明专利]一种QLED器件的制备方法在审
| 申请号： | 201710542313.3 | 申请日： | 2017-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN109216568A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 王宇;曹蔚然;钱磊 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种QLED器件的制备方法。通过对量子点发光层进行高压处理，使其形成致密的薄膜，所述纳米材料在高压作用下产生一定的结晶化作用，继而提高量子点发光层的载流子传输速率。进一步的，通过对功能传输层进行高压处理，使QLED器件中的各功能层之间，功能传输层与量子点发光层之间结合的更紧密，减少了界面之间的缺陷，降低了非辐射复合，进一步的提高了载流子的注入效率和复合发光的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光层 量子点 高压处理 传输层 制备 载流子 致密 非辐射复合 结晶化作用 载流子传输 复合发光 高压作用 纳米材料 注入效率 功能层 薄膜 | ||
【主权项】：
1.一种QLED器件的制备方法，其特征在于，包括当量子点发光层完成沉积后，在惰性环境下，对所述量子点发光层进行高压处理的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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