[发明专利]一种QLED器件的制备方法

权利要求书

1.一种QLED器件的制备方法，其特征在于，包括当量子点发光层完成沉积后，在惰性环境下，对所述量子点发光层进行高压处理的步骤。

2.根据权利要求1所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，还包括当功能传输层完成沉积后，在惰性环境下，对所述功能传输层进行高压处理的步骤。

3.根据权利要求2所述的QLED 器件的制备方法，其特征在于，所述功能传输层为空穴传输层和/或电子传输层。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述高压处理的压力为1-10MPa，时间为5-120min。

5.根据权利要求4所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述高压处理的过程包括如下步骤：

（1）当量子点发光层或功能传输层在器件上完成沉积后，将器件固定在一高压处理装置的密闭容器中，高压处理装置还包括进气阀和出气阀，通过打开进气阀和出气阀，将惰性气体通入密闭容器并将密闭容器内的空气清除；

（2）关闭出气阀，继续通入惰性气体直至密闭容器内的压力达到预定压力，高压处理预定时间。

6.根据权利要求5所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）完成后，打开出气阀，并调节进气阀和出气阀压力，使密闭容器形成流动的惰性气体，清除器件表面吸附的惰性气体。

7.根据权利要求1-3任意一项所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，还包括所述量子点发光层或功能传输层经高压处理后，进行退火处理的步骤。

8.根据权利要求7所述的QLED 器件的制备方法，其特征在于，所述量子点发光层经高压处理后，退火处理的退火温度为60℃-80℃，时间为10 min-30min。

9.根据权利要求7所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述功能传输层经高压处理后，退火处理的退火温度为120℃-180℃，时间为10 min-30min。

10.一种QLED器件，其特征在于，由权利要求1至9任意一项所述制备方法制备得到。