[发明专利]一种QLED器件的制备方法

说明书

本发明公开一种QLED器件的制备方法。通过对量子点发光层进行高压处理，使其形成致密的薄膜，所述纳米材料在高压作用下产生一定的结晶化作用，继而提高量子点发光层的载流子传输速率。进一步的，通过对功能传输层进行高压处理，使QLED器件中的各功能层之间，功能传输层与量子点发光层之间结合的更紧密，减少了界面之间的缺陷，降低了非辐射复合，进一步的提高了载流子的注入效率和复合发光的效率。

技术领域

本发明涉及量子点技术领域，尤其涉及一种QLED器件的制备方法。

背景技术

半导体量子点（Quantum dot, QDs）具有荧光量子效率高、可见光波段发光可调、色域覆盖度宽广等特点。以量子点为发光材料的发光二极管被称为量子点发光二极管（Quantum dot light-emitting diode, QLED），具有色彩饱和、能效更高、色温更佳、寿命长等优点，有望成为下一代固态照明和平板显示的主流技术。

为了提高QLED器件的效率和性能，研究者对QLED器件结构做了各个方面的研究，尤其是对量子点发光层材料的研究。现有技术主要是通过化学的方法对QLED器件发光层材料进行修饰以提高器件的效率，主要围绕量子点的合成和量子点表面配体修饰两方面。其中，常用的修饰方法是对量子点的表面进行配体交换，将其表面的长链配体替换成短链配体，减少量子点之间的距离，可以提高载流子的注入效率，从而提高QLED器件的发光效率。

然而，在器件制备过程中，采用物理的方法对QLED器件的功能层进行修饰，以提高器件薄膜质量和载流子传输效率的研究却鲜有报道。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种QLED器件的制备方法，通过在器件制备过程中对量子点发光层、功能传输层进行物理修饰，旨在通过物理方法实现QLED器件薄膜质量和载流子传输效率的提高。

本发明的技术方案如下：

一种QLED器件的制备方法，其中，包括当量子点发光层完成沉积后，在惰性环境下，对所述量子点发光层进行高压处理的步骤。

进一步的，所述的QLED器件的制备方法，其中，还包括当功能传输层完成沉积后，在惰性环境下，对所述功能传输层进行高压处理的步骤。更进一步的，所述的QLED器件的制备方法，其中，所述功能传输层为空穴传输层和/或电子传输层。

进一步的，所述的QLED器件的制备方法，其中，对量子点发光层、功能传输层进行高压处理的压力为1MPa-10MPa，时间为5min-120min。

在其中一种实施方式中，所述的QLED器件的制备方法，其中，所述高压处理的过程包括：S10、当量子点发光层或功能传输层在器件上完成沉积后，将器件固定在一高压处理装置的密闭容器中，高压处理装置还包括进气阀和出气阀，通过打开进气阀和出气阀，将惰性气体通入密闭容器并将密闭容器内的空气清除；S20、关闭出气阀，继续通入惰性气体直至密闭容器内的压力达到预定压力，高压处理预定时间。进一步的，所述步骤S20完成后，还包括步骤S30：打开出气阀，控制进气阀和出气阀的压力，使密闭容器形成流动的惰性气体，清除器件表面吸附的惰性气体。所述惰性气体为氮气、氦气、氖气或氩气中的一种。

进一步的，所述的QLED器件的制备方法，其中，所述量子点发光层包括红光量子点发光层、绿光量子点发光层、蓝光量子点发光层、黄光量子点发光层、红外量子点发光层或紫外量子点发光层中的至少一种。

进一步的，所述的QLED器件的制备方法，其中，还包括对量子点发光层或功能传输层进行高压处理后，进行退火处理的步骤。

进一步的，所述的QLED器件的制备方法，其中，所述量子点发光层经高压处理后，退火处理的退火温度为60℃-80℃，时间为10-30min。