[发明专利]提高光刻工艺中图形关键尺寸的均匀性的方法

摘要

本发明公开了一种提高光刻工艺中图形关键尺寸的均匀性的方法，包括如下步骤：步骤一、测量各种不同的图形周期下，各种不同的局部图形密度对相应的图形周期下的图形关键尺寸的影响，并根据测量结果建立光刻工艺调整规则；步骤二、对已经设计好的产品版图的本层图形进行局部图形密度统计；步骤三、根据本层图形的局部图形密度分布，按照光刻工艺调整规则对本层图形的各图形对应的光罩关键尺寸进行调整。本发明能消除版图中局部图形密度的变化对图形关键尺寸的影响，使各种局部图形密度下的各图形关键尺寸趋于和设计要求相同，提高图形关键尺寸的均匀性。

主权项

1.一种提高光刻工艺中图形关键尺寸的均匀性的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、测量各种不同的图形周期下，各种不同的局部图形密度对相应的图形周期下的图形关键尺寸的影响，并根据测量结果建立光刻工艺调整规则；所述光刻工艺调整规则保证光刻工艺完成后各所述图形周期下不同的局部图形密度处的各所述图形关键尺寸趋于和设计要求值相同，消除不同局部图形密度对所述图形关键尺寸的影响；建立所述光刻工艺调整规则包括如下分步骤：步骤11、产生一组具有不同所述图形周期且各所述图形周期又包括有各种所述局部图形密度的测试图形；步骤12、形成各所述测试图形的测试版图并进行光刻工艺后测量各所述图形周期的在不同的所述局部图形密度下的所述图形关键尺寸的值；步骤13、根据步骤12中对所述图形关键尺寸的测量值对光刻工艺参数进行调整使各所述图形周期的在不同的所述局部图形密度下的所述图形关键尺寸趋于一致；步骤二、对已经设计好的产品版图的本层图形进行局部图形密度统计，得到所述产品版图的本层图形的局部图形密度分布，所述产品版图的本层图形上包括有根据设计需要设置的图形周期，所述图形周期有一种以上；步骤三、根据所述版图的本层图形的局部图形密度分布，按照步骤一所述光刻工艺调整规则对所述产品版图的本层图形中各图形对应的光罩关键尺寸进行调整。