[发明专利]一种射频组件集成方法在审
| 申请号： | 201710529729.1 | 申请日： | 2017-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN107275226A | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 宋志东;宋云乾;李曦 | 申请（专利权）人： | 中国航空工业集团公司雷华电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京航信高科知识产权代理事务所(普通合伙)11526 | 代理人： | 高原 |
| 地址： | 214063 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种射频组件集成方法，包括如下步骤，根据电路设计加工各层硅基板，完成各层基板的硅腔与TSV加工；完成各层硅基板的金属化，根据电路设计完成各层基板上的金属图案绘制，并完成阻容元件、滤波电路等无源器件的内嵌加工；通过晶圆键合工艺组合相应的硅基基板，形成埋置元器件所需要的腔体；进行芯片微组装，将射频电路中的元器件安装在相应的腔体内；通过晶圆键合工艺完成所有硅基基板层的互联；进入封装间进行进一步的三维堆叠，根据需要选择在上下表面安装其他元器件。本发明所提供的方法，加工精度高；元器件可以全部内埋，表面做到光洁无外露；集成尺寸小，有利于组件小型化、超薄化，批量生产成品率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 射频 组件 集成 方法 | ||
【主权项】：
一种射频组件集成方法，其特征在于，包括如下步骤，步骤一：根据电路设计加工各层硅基板，完成各层基板的硅腔与TSV加工；步骤二：完成各层硅基板的金属化，根据电路设计完成各层基板上的金属图案绘制，并完成阻容元件、滤波电路等无源器件的内嵌加工；步骤三：通过晶圆键合工艺组合相应的硅基基板，形成埋置元器件所需要的腔体；步骤四：进行芯片微组装，将射频电路中的元器件安装在相应的腔体内；步骤五：通过晶圆键合工艺完成所有硅基基板层的互联；步骤六：进入封装间进行进一步的三维堆叠，根据需要选择在上下表面安装其他元器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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