[发明专利]一种射频组件集成方法

权利要求书

1.一种射频组件集成方法，其特征在于，包括如下步骤，

步骤一：根据电路设计加工各层硅基板，完成各层基板的硅腔与TSV加工；

步骤二：完成各层硅基板的金属化，根据电路设计完成各层基板上的金属图案绘制，并完成阻容元件、滤波电路等无源器件的内嵌加工；

步骤三：通过晶圆键合工艺组合相应的硅基基板，形成埋置元器件所需要的腔体；

步骤四：进行芯片微组装，将射频电路中的元器件安装在相应的腔体内；

步骤五：通过晶圆键合工艺完成所有硅基基板层的互联；

步骤六：进入封装间进行进一步的三维堆叠，根据需要选择在上下表面安装其他元器件。

2.根据权利要求1所述的射频组件集成方法，其特征在于，所述步骤一中的各层所述硅基板的厚度为150μm～500μm之间。

3.根据权利要求1所述的射频组件集成方法，其特征在于，所述步骤一中的所述硅腔尺寸为：1×1～6×6mm²、腔体深度20～200μm。

4.根据权利要求1所述的射频组件集成方法，其特征在于，所述步骤一中的所述TSV通孔开孔尺寸为3μm～100μm之间、深宽比≤10:1。

5.根据权利要求1所述的射频组件集成方法，其特征在于，所述步骤二中的所述金属图案绘制的精度≤1μm。

6.根据权利要求1所述的射频组件集成方法，其特征在于，所述步骤二中的所述金属材料为金、银、铝或者铜。

7.根据权利要求1所述的射频组件集成方法，其特征在于，所述步骤三中的所述晶圆键合工艺为金属键合与绝缘体键合。

8.根据权利要求7所述的射频组件集成方法，其特征在于，所述金属键合为Al-Ge键合工艺、Au-Sn键合工艺、Cu-Sn键合工艺、Au-Au键合工艺或者Cu-Cu键合工艺。

9.根据权利要求7所述的射频组件集成方法，其特征在于，所述绝缘体键合为Si-Si键合工艺、Si-SiO₂键合工艺或者SiO₂-SiO₂键合工艺。