[发明专利]蒸发金属时保护芯片四边及其侧壁的方法在审
| 申请号： | 201710518693.7 | 申请日： | 2017-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN107275189A | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 黄寓洋 | 申请（专利权）人： | 苏州苏纳光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种蒸发金属时保护芯片四边及其侧壁的方法，所述方法包括在芯片上端面的非器件区域和侧壁上覆设光刻胶层；于所述芯片上蒸镀金属；以有机溶剂进行金属剥离并除去所述光刻胶层，而仅于所述芯片上端面的器件区域保留蒸镀金属层。本发明提供的蒸发金属时保护芯片四边及其侧壁的方法，工艺流程简单，可以解决由于芯片光刻时四周保护不完全导致金属蒸发后难剥离以及金属残留的问题，并且可以在金属剥离的同时完成光刻胶的去除，无需增加额外操作。 | ||
| 搜索关键词： | 蒸发 金属 保护 芯片 四边 及其 侧壁 方法 | ||
【主权项】：
一种蒸发金属时保护芯片四边及其侧壁的方法，其特征在于包括：在芯片上端面的非器件区域和侧壁上覆设光刻胶层；于所述芯片上蒸镀金属；以有机溶剂进行金属剥离并除去所述光刻胶层，而仅于所述芯片上端面的器件区域保留蒸镀金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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