[发明专利]一种双面隧穿氧化钝化高效N型双面电池的制备方法

摘要

本发明涉及一种双面隧穿氧化钝化高效N型双面电池的制备方法，包括切割硅片去损伤层制绒，高温气相硼源掺杂形成p⁺发射结，硅片背面生长超薄的隧道氧化层SiO₂及掺P多晶硅层；p⁺发射结表面通过热氧化及多晶沉积工艺在p⁺发射结表面形成正面隧穿氧化钝化结构；在硅片背面用激光掺杂或湿法图形化刻蚀方法形成局域重掺杂区域，电池正面/背面沉积氢化非晶氮化硅钝化减反射层。最后通过丝网印刷电极栅线，形成正背面电极金属化欧姆接触。本发明最大限度降低电池背面金属‑半导体表面复合，获得35mV左右的Voc提升，且工艺技术路线兼容现有传统单晶电池制备流程，提升电池效率。

主权项

1.一种双面隧穿氧化钝化高效N型双面电池的制备方法，其特征在于，该方法采用以下步骤：(1)硅片在碱制绒槽中去除损伤层并制绒，形成1μm‑6μm高的金字塔绒面；(2)控制硼源高温扩散炉管温度为850℃‑1000℃，将硅片置于其中扩散20min‑80min，在硅片表面形成B掺杂p+发射结；(3)用HF溶液去除硅片的硼硅玻璃(BSG)层，再利用HNO3/HF混合溶液的湿法刻蚀工艺，去除背面的B掺杂p+结，并对背面进行抛光处理；(4)利用湿法化学或高温热氧化工艺在硅片背面制备超薄隧道氧化层SiO2，采用CVD方式在硅片背面沉积掺P多晶硅层；(5)采用湿法工艺对硅片正面进行选择性刻蚀，去除掺P多晶硅层；(6)利用湿法化学或高温热氧化工艺在硅片背面制备超薄隧道氧化层SiO2，采用CVD方式在硅片正面沉积掺B多晶硅层；(7)采用高温热氧化工艺，对正面磷掺杂及背面硼掺杂多晶硅层进行激活；(8)采用PECVD或磁控溅射法在硅片正面及背面沉积80nm‑100nm的氢化非晶氮化硅钝化减反射层；(9)采用丝网印刷技术在硅片正面/背面印刷金属化浆料，形成欧姆接触，制作得到双面隧穿氧化钝化N型双面电池。