[发明专利]一种用于化学气相沉积的装置以及化学气相沉积方法有效
申请号: | 201710512331.7 | 申请日: | 2017-06-28 |
公开(公告)号: | CN107267957B | 公开(公告)日: | 2020-02-07 |
发明(设计)人: | 刘凤举 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | C23C16/452 | 分类号: | C23C16/452;C23C16/509 |
代理公司: | 44202 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种用于化学气相沉积的装置以及化学气相沉积方法,该装置包括:第一电离室,用于将第一反应气体电离,生成第一等离子体;第二电离室,用于将第二反应气体电离,生成第二等离子体;反应室,与所述第一电离室和第二电离室连接,用于接收第一等离子体和第二等离子体,及用于承载待加工器件。因为在待加工器件表面沉积薄膜的速率并不会受到传统的多种电磁场效应,例如,电势驻波效应、趋肤效应等因素的影响而导致成膜速率不相同,所以待加工器件表面成膜的均匀程度提高。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 化学 沉积 装置 以及 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于化学气相沉积的装置,其特征在于,包括:第一电离室,用于将第一反应气体电离,生成第一等离子体;第二电离室,用于将第二反应气体电离,生成第二等离子体;反应室,与所述第一电离室和第二电离室连接,用于接收第一等离子体和第二等离子体,及用于承载待加工器件;/n所述装置设置有依次串联接通的多个第一电离室,其中,反应室与最后一级第一电离室相接通;所述第一电离室包括密闭的第一电离腔室以及设置在第一电离腔室内的第一功率电极和第一接地电极;所述第一电离室设置有连通第一电离腔室的第一进气口,所述第一功率电极构造为设置有与所述第一进气口相通的第一气体入口的盒体,在所述第一功率电极朝向所述第一接地电极的一面上均匀布置多个第一气体出口,所述第一气体出口的内径小于所述第一气体入口的内径。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电技术有限公司,未经武汉华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710512331.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种喷头清洗方法
- 下一篇:HVPE用气体传输装置、反应腔及HVPE设备
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的