[发明专利]存储器及其形成方法、半导体器件

摘要

本发明提供了一种存储器及其形成方法、半导体器件。利用对应字线图形的第一掩膜层自对准地形成掩膜支撑体和牺牲层，并结合第二掩膜层自对准地形成一空腔，以界定出存储节点接触和位线接触的形成区域，进而在掩膜支撑体和牺牲层的隔离屏障的作用下，能够在空腔中依次形成存储节点接触和位线接触。即，在形成存储节点接触和位线接触的过程中，仅利用了一道光刻工艺，减少了光刻工艺的执行次数，避免了由于多次光刻工艺而产生较大位移偏差的问题，进而可减小存储节点接触和存储节点接触区之间、以及位线接触和位线接触区之间的接触电阻。

主权项

1.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底上定义有多个相对于预定方向倾斜排布的有源区以及在所述有源区之间的隔离结构，所述有源区上定义有一用于形成位线接触区的第一区域和至少一用于形成存储节点接触区的第二区域，在所述预定方向上，分别对应不同有源区的一个所述第一区域和两个所述第二区域紧邻排布，以构成一接触区数组，在所述接触区数组中，两个所述第二区域分别布置在所述第一区域的两侧；形成一第一掩膜层在所述衬底上，所述第一掩膜层中形成有多个对应字线且沿所述预定方向延伸的第一开口，并形成多条字线在对应所述第一开口的所述衬底中，所述字线的表面不高于所述衬底的表面，在两条相邻的所述字线之间对应有多组所述接触区数组，在垂直于所述预定方向上，相邻的所述接触区数组分别布置在所述字线的两侧；形成一掩膜支撑体在所述第一开口中以覆盖所述字线，所述掩膜支撑体的表面高于所述衬底的表面；以所述第一掩膜层作为牺牲层，或者去除所述第一掩膜层并在对应所述第一掩膜层的区域中形成牺牲层；形成一第二掩膜层在所述牺牲层和所述掩膜支撑体上，所述第二掩膜层中形成有一第二开口以暴露出所述第一区域中的所述牺牲层，并通过所述第二开口去除部分所述牺牲层，以形成一大于所述第二开口的空腔，所述空腔中暴露有所述衬底的所述接触区数组；通过所述第二开口填充一第一导电层在所述空腔中的第二区域中，且所述第一导电层与所述第二区域的所述衬底电性连接，以构成存储节点接触，在所述空腔中的两个所述存储节点接触和所述掩膜支撑体共同界定出一凹槽，通过所述凹槽暴露出所述第一区域的衬底；以及，形成一间隔绝缘层在所述凹槽的侧壁上，并在所述凹槽中填充第二导电层，所述第二导电层与所述第一区域的所述衬底电性连接，以构成位线接触。