[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示装置

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板的制备方法，包括在衬底基板上制备形成图案化的有源层的步骤，该步骤包括在衬底基板上依次制备形成非晶硅薄膜层和掺杂硼的非晶硅锗薄膜层；采用热退火工艺对所述非晶硅薄膜层和掺杂硼的非晶硅锗薄膜层进行晶化处理，获得多晶硅薄膜层和掺杂硼的多晶硅锗薄膜层；应用光刻工艺，将所述多晶硅薄膜层和所述多晶硅锗薄膜层刻蚀形成图案化的有源层，所述有源层包括有源区，所述有源区包括沟道区和分别位于所述沟道区两侧的源极区和漏极区。本发明还公开了一种薄膜晶体管阵列基板以及包含该阵列基板的显示装置。

主权项

一种薄膜晶体管阵列基板的制备方法，包括在衬底基板上制备形成图案化的有源层的步骤，其特征在于，包括：在衬底基板上依次制备形成非晶硅薄膜层和掺杂硼的非晶硅锗薄膜层；采用热退火工艺对所述非晶硅薄膜层和掺杂硼的非晶硅锗薄膜层进行晶化处理，将所述非晶硅薄膜层转化为多晶硅薄膜层，将所述掺杂硼的非晶硅锗薄膜层转化为掺杂硼的多晶硅锗薄膜层；应用光刻工艺，将所述多晶硅薄膜层和所述多晶硅锗薄膜层刻蚀形成图案化的有源层，所述有源层包括有源区，所述有源区包括沟道区和分别位于所述沟道区两侧的源极区和漏极区；其中，所述有源区由所述多晶硅薄膜层刻蚀形成，所述源极区上方的多晶硅锗薄膜层被保留以形成第一接触层，所述漏极区上方的多晶硅锗薄膜层被保留以形成第二接触层。