[发明专利]3D NAND闪存的错误缓解有效
| 申请号： | 201710505728.3 | 申请日： | 2017-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN107799150B | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | S-H.宋;V.杜贝科;Z.班迪克 | 申请（专利权）人： | 西部数据技术公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C29/42;G06F11/10;G06F11/07 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 万里晴 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了NAND单元错误补救技术。所述补救技术适用于3D NAND。在一个示例中，存储设备可以包括处理器以及包括NAND闪存的存储器设备。所述处理器被配置成用于检测与所述NAND闪存的第一页相关联的错误状况，并且判定所述错误状况是与读取干扰相关联还是与保持错误相关联。所述处理器被配置成用于：如果所述错误状况与所述读取干扰相关联，则发起关于所述页的刷新操作，以便将存储在所述第一页处的数据写入所述NAND闪存的第二页；以及如果所述错误状况与所述保持错误相关联，则发起关于所述页的重新编程操作，以便将存储在所述第一页处的所述数据重新写入所述NAND闪存的所述第一页。 | ||
| 搜索关键词： | nand 闪存 错误 缓解 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：由一个或多个处理器检测与NAND闪存的第一页相关联的错误状况；由所述一个或多个处理器判定所述错误状况是与读取干扰相关联还是与保持错误相关联；如果所述错误状况与所述读取干扰相关联，则由所述一个或多个处理器发起关于所述页的刷新操作，以便将存储在所述第一页处的数据写入所述NAND闪存的第二页；以及如果所述错误状况与所述保持错误相关联，则由所述一个或多个处理器发起关于所述页的重新编程操作，以便将存储在所述第一页处的所述数据重新写入所述第一页。
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