[发明专利]3D NAND闪存的错误缓解

权利要求书

1.一种用于对闪存进行重新编程和/或刷新的方法，包括：

由一个或多个处理器读取存储在与NAND闪存的第一页相关联的一个或多个虚拟单元处的虚拟单元数据；

由所述一个或多个处理器基于所述虚拟单元数据检测与所述NAND闪存的所述第一页相关联的错误状况；

由所述一个或多个处理器基于所述虚拟单元数据判定所述错误状况是与读取干扰相关联还是与保持错误相关联；

如果所述错误状况与所述读取干扰相关联，则由所述一个或多个处理器发起关于所述第一页的刷新操作，以便将存储在所述第一页处的数据写入所述NAND闪存的第二页；以及

如果所述错误状况与所述保持错误相关联，则由所述一个或多个处理器发起关于所述第一页的重新编程操作，以便将存储在所述第一页处的所述数据重新写入所述第一页。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述错误状况与所述保持错误相关联，所述方法进一步包括：

读取存储在所述第一页处的所述数据；

对从所述第一页中读取的所述数据进行解码；

对经解码数据进行编码；以及

将经编码数据写入所述第一页。

3.如权利要求2所述的方法，其中：

对从所述第一页中读取的所述数据进行解码包括使用第一错误校正码(ECC)对所述数据进行解码，并且

对所述经解码数据进行编码包括使用第二错误校正码(ECC)对所述经解码数据进行编码。

4.如权利要求1所述的方法，其中，所述错误状况与所述读取干扰相关联，并且其中，所述第一页是读取受扰页，所述方法进一步包括：

基于确定页块包括所述读取受扰页，由所述一个或多个处理器将所述页块放置在由所述一个或多个处理器监测的刷新队列中；

由所述一个或多个处理器读取包括所述读取受扰页的所述页块；

对从所述第一页中读取的所述数据进行解码；

对经解码数据进行编码；

将经编码数据写入所述第二页；以及

擦除存储在所述第一页处的所述数据。

5.如权利要求4所述的方法，进一步包括：

由所述一个或多个处理器对存储在所述页块中的数据进行解码；以及

由所述一个或多个处理器对经解码数据进行编码以便形成编码数据块。

6.如权利要求4所述的方法，其中，将所述页块放置在所述刷新队列中包括将所述页块放置在所述刷新队列的尾部，所述方法进一步包括：

在刷新包括在所述刷新队列中的任何其他块之前刷新定位在所述刷新队列的头部的块。

7.如权利要求6所述的方法，进一步包括：

响应于所述刷新队列中的块数量大于或等于阈值块数量，刷新定位在所述刷新队列的所述头部的所述块。

8.如权利要求1所述的方法，其中，判定所述错误状况是与所述读取干扰相关联还是与所述保持错误相关联包括：

响应于从所述第一页中读取的所述虚拟单元数据匹配第一模式，确定所述错误状况与所述读取干扰相关联；以及

响应于从所述第一页中读取的所述虚拟单元数据匹配第二模式，确定所述错误状况与所述保持错误相关联。

9.如权利要求1所述的方法，其中，与所述NAND闪存的所述第一页相关联的一个或多个虚拟单元包括所述第一页的第一虚拟单元和所述第一页的第二虚拟单元，所述第一虚拟单元根据第一电压范围进行编程，所述第二虚拟单元根据与第一电压范围相邻的第二电压范围进行编程。