[发明专利]3D NAND闪存的错误缓解

说明书

公开了NAND单元错误补救技术。所述补救技术适用于3D NAND。在一个示例中，存储设备可以包括处理器以及包括NAND闪存的存储器设备。所述处理器被配置成用于检测与所述NAND闪存的第一页相关联的错误状况，并且判定所述错误状况是与读取干扰相关联还是与保持错误相关联。所述处理器被配置成用于：如果所述错误状况与所述读取干扰相关联，则发起关于所述页的刷新操作，以便将存储在所述第一页处的数据写入所述NAND闪存的第二页；以及如果所述错误状况与所述保持错误相关联，则发起关于所述页的重新编程操作，以便将存储在所述第一页处的所述数据重新写入所述NAND闪存的所述第一页。

技术领域

本公开总体上涉及用于对闪存单元进行重新编程和/或刷新的系统和机制。

背景技术

计算机或其他电子设备中使用的存储设备可以包括非易失性存储器或易失性存储器中的一者或两者。非易失性存储器使得在电力丢失的情况下能够进行数据存储，不论电力丢失是计划的或非计划的。因此，非易失性存储器设备已经发展成用于广泛电子应用的流行存储器类型。例如，非易失性存储器设备(包括闪存设备)通常被结合到如固态驱动器(SSD)等固态存储设备中。由于与闪存单元相关联的保持限制，闪存设备被配置成用于在所存储的数据变“冷”之后刷新单元。刷新闪存单元涉及从某个位置(例如，页)处读取冷数据、使用错误校正码(ECC)对数据进行解码、对数据进行编码、以及将数据重新编程到新位置(例如，新页)。

发明内容

本公开总体上涉及用于更新由闪存单元存储的数据的系统和技术。本公开的一些方面涉及如通过对已经达到或正接近预定错误校正码(ECC)限制的特定单元进行刷新或重新编程来选择性地更新由闪存单元存储的数据。可以通过从闪存单元中读取数据并且将数据写入不同闪存单元中来刷新闪存单元(或者更准确地，与闪存单元相关联的数据)。在本公开的选择性更新技术的一些示例中，展示读取干扰错误(由于读取相邻闪存单元而注入到浮栅中的电荷)的闪存单元被刷新而不是被重新编程。根据本公开的各个方面，可以采用批处理方式刷新读取受扰单元，如通过刷新整个块，即使仅页的子集受到读取干扰。相比而言，在一些示例中，可以对展示保持错误(由于泄漏而来自浮栅的电荷损耗)的闪存单元进行重新编程。可以通过从闪存单元中读取数据以及将数据写入同一闪存单元中来对闪存单元进行重新编程。

在一些示例中，本公开描述了一种方法，所述方法包括：由一个或多个处理器检测与NAND闪存的第一页相关联的错误状况；以及由所述一个或多个处理器判定所述错误状况是与读取干扰相关联还是与保持错误相关联。所述方法可以进一步包括：如果所述错误状况与所述读取干扰相关联，则由所述一个或多个处理器发起关于所述页的刷新操作，以便将存储在所述第一页处的数据写入所述NAND闪存的第二页；以及如果所述错误状况与所述保持错误相关联，则由所述一个或多个处理器发起关于所述页的重新编程操作，以便将存储在所述第一页处的所述数据重新写入所述第一页。

在一些示例中，本公开描述了一种存储设备，所述存储设备包括至少一个处理器以及至少一个包括NAND闪存的存储器设备。所述处理器可以被配置成用于检测与所述NAND闪存的第一页相关联的错误状况，并且判定所述错误状况是与读取干扰相关联还是与保持错误相关联。所述处理器可以进一步被配置成用于：如果所述错误状况与所述读取干扰相关联，则发起关于所述页的刷新操作，以便将存储在所述第一页处的数据写入所述NAND闪存的第二页；以及如果所述错误状况与所述保持错误相关联，则发起关于所述页的重新编程操作，以便将存储在所述第一页处的所述数据重新写入所述NAND闪存的所述第一页。

在一些示例中，本公开描述了一种存储指令的计算机可读存储介质，所述指令当被执行时，使计算设备的至少一个处理器：检测与NAND闪存的第一页相关联的错误状况，以及判定所述错误状况是与读取干扰相关联还是与保持错误相关联。所述指令当被执行时，使所述计算设备的所述至少一个处理器：如果所述错误状况与所述读取干扰相关联，则发起关于所述页的刷新操作，以便将存储在所述第一页处的数据写入第二页；以及如果所述错误状况与所述保持错误相关联，则发起关于所述页的重新编程操作，以便将存储在所述第一页处的所述数据重新写入所述第一页。