[发明专利]一种氧化镓基底场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201710501101.0 | 申请日： | 2017-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN107331607B | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 龙世兵;董航;何启鸣;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 赵永刚 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氧化镓基底场效应管制备方法，其中包括：步骤一、提供氧化镓基底；步骤二、在氧化镓基底表面淀积宽禁带氧化物层；步骤三、在宽禁带氧化物层上淀积高K介质层；步骤四、对宽禁带氧化物层和高K介质层进行光刻得到复合栅介质层；步骤五、生长源/漏电极金属以及栅电极金属。本发明还提供一种氧化镓基底场效应管。本发明能够通过复合栅介质层实现栅介质层与基底材料之间的高势垒和栅介质层的高介电常数，优化氧化镓基底场效应晶体管的结构及性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 基底 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化镓基底场效应管制备方法，其特征在于，包括：步骤一、提供氧化镓基底；步骤二、在所述氧化镓基底表面淀积宽禁带氧化物层；步骤三、在所述宽禁带氧化物层上淀积高K介质层；步骤四、对所述宽禁带氧化物层和所述高K介质层进行光刻得到复合栅介质层；步骤五、生长源/漏电极金属以及栅电极金属。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
