[发明专利]一种氧化镓基底场效应晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种氧化镓基底场效应管制备方法，其特征在于，包括：

步骤一、提供氧化镓基底；

步骤二、在所述氧化镓基底表面淀积宽禁带氧化物层，所述宽禁带氧化物层的材料为Al₂O₃；

步骤三、在所述宽禁带氧化物层上淀积高K介质层，所述高K介质层的材料为HfO₂、HfSiO、HfSiON、HfTaO、HfTiO、HfZrO、La₂O₃、ZrO₂、LaAlO或Ta₂O₅，所述宽禁带氧化物层与所述高K介质层厚度比为1:2-1:5；

步骤四、对所述宽禁带氧化物层和所述高K介质层进行光刻得到复合栅介质层；

步骤五、生长源/漏电极金属以及栅电极金属。

2.根据权利要求1所述的氧化镓基底场效应管制备方法，其特征在于，所述氧化镓基底通过高温扩散或离子注入工艺掺杂为N型或P型。

3.根据权利要求1所述的氧化镓基底场效应管制备方法，其特征在于，所述宽禁带氧化物层通过CVD、电镀、PVD、溅射、蒸发、旋涂、或ALD工艺进行淀积。

4.根据权利要求1所述的氧化镓基底场效应管制备方法，其特征在于，所述高K介质层通过CVD、电镀、物理气相沉积PVD、溅射、蒸发、旋涂或ALD工艺进行淀积。

5.根据权利要求1所述的氧化镓基底场效应管制备方法，其特征在于，所述源/漏电极金属以及栅电极金属的材料为Al、Ti、Au、Cr、Pd或Pt。

6.根据权利要求1所述的氧化镓基底场效应管制备方法，其特征在于，所述源/漏电极金属以及栅电极金属通过电子束蒸发形成。

7.一种根据权利要求1所述的方法制备的氧化镓基底场效应管，其特征在于，包括：

氧化镓基底；

在所述氧化镓基底表面淀积的宽禁带氧化物层，所述宽禁带氧化物层的材料为Al₂O₃；

在所述宽禁带氧化物层上淀积的高K介质层，所述高K介质层的材料为HfO₂、HfSiO、HfSiON、HfTaO、HfTiO、HfZrO、La₂O₃、ZrO₂、LaAlO或Ta₂O₅，所述宽禁带氧化物层与所述高K介质层厚度比为1:2-1:5；

源/漏电极金属以及栅电极金属。