[发明专利]带有注入式背栅的集成JFET结构在审
| 申请号： | 201710497632.7 | 申请日： | 2017-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN107546276A | 公开（公告）日： | 2018-01-05 |
| 发明（设计）人： | A·萨多夫尼科夫;D·韦泽;M·E·达尔斯特伦;J·M·哈伯特 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/808 | 分类号： | H01L29/808;H01L29/423;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 | 代理人： | 赵志刚,赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请公开一种带有注入式背栅的集成JFET结构。一种半导体器件(100)，其含有具有沟道层(114)的JFET(112)，沟道层(114)在衬底(102)中具有第一导电类型。JFET(112)具有在沟道(114)下方的具有第二相反导电类型的背栅(116)。背栅(116)与沟道层(116)横向对准。通过在半导体器件(100)的衬底(102)上方形成沟道掩模来形成半导体器件(100)，该沟道掩模暴露用于沟道掺杂剂的区域。当沟道掩模在适当位置时，沟道掺杂剂注入到由沟道掩模暴露的区域中的衬底(102)中。当沟道掩模在适当位置时，背栅掺杂剂注入到衬底(102)中，使得所注入的沟道掺杂剂与所注入的沟道掺杂剂横向对准。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 注入 式背栅 集成 jfet 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底，其包含半导体材料，所述衬底具有顶表面；和结型场效应晶体管即JFET，包括：沟道层，其设置在所述衬底中具有第一导电类型；以及背栅，其具有第二相反导电类型，所述背栅设置在与所述顶表面相对的所述沟道层下方的所述衬底中，其中，所述背栅与所述沟道层横向对准。
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