[发明专利]一种提高MOS器件性能的结构设计在审
| 申请号： | 201710496025.9 | 申请日： | 2017-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN109148434A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 陆宇 | 申请（专利权）人： | 上海卓弘微系统科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/088 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201399 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种纳米工艺下提高有源器件性能的设计方法，该方法设计条形衬底（B）并将之位于NMOS器件漏端（D）一侧，与D端相隔的距离为所采用工艺的设计规则最小值。该方法设计条形衬底（B）并将之位于PMOS器件源端（S）一侧，与S端相隔的距离为所采用工艺的设计规则最小值。这种有源器件结构可以提高NMOS器件性能，也不会削弱PMOS器件性能,同时不会增加额外的面积。随着工艺节点的降低，STI应力对器件性能的影响越来越显著，此结构器件在更小的工艺节点上对提高器件性能有着很大的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 工艺节点 器件性能 设计规则 条形衬 源器件 相隔 结构器件 纳米工艺 漏端 源端 削弱 | ||
【主权项】：
1.一种提高有源器件性能的设计方法，其特征在于，设计衬底为条形结构，并将之安置在原有NMOS标准器件D端一侧，与D端的距离为设计规则最小值。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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