[发明专利]一种提高MOS器件性能的结构设计在审
| 申请号： | 201710496025.9 | 申请日： | 2017-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN109148434A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 陆宇 | 申请（专利权）人： | 上海卓弘微系统科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/088 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201399 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 工艺节点 器件性能 设计规则 条形衬 源器件 相隔 结构器件 纳米工艺 漏端 源端 削弱 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高有源器件性能的设计方法，其特征在于，设计衬底为条形结构，并将之安置在原有NMOS标准器件D端一侧，与D端的距离为设计规则最小值。
2.一种提高有源器件性能的设计方法，其特征在于，设计衬底为条形结构，并将之安置在原有PMOS标准器件S端一侧，与S端的距离为设计规则最小值。
3.如权利要求1所述的器件设计方法，其特征在于，在NMOS器件D端一侧安置条形衬底，限制了D端方向上浅槽隔离区的宽度，即图示中的STI宽度，能减小浅槽隔离区对NMOS器件的应力,最大限度提高NMOS器件驱动能力。
4.如权利要求1所述的器件设计方法，其特征在于，这种设计方法不增加额外的金属或有源区填充部分，因而节约了NMOS器件面积。
5.如权利要求2所述的器件设计方法，其特征在于，在PMOS器件S端一侧安置条形衬底，限制了S端方向上浅槽隔离区的宽度，即图示中的STI宽度，而D端为开放STI状态，
由于S端STI应力的减小并不明显影响PMOS性能，因此不会削弱PMOS器件驱动能力。
6.如权利要求2所述的器件设计方法，其特征在于，将衬底以最小设计规则值靠近PMOS源端，因而节约了PMOS器件面积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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