[发明专利]半导体工艺及半导体结构

摘要

本发明提供了一种半导体工艺及半导体结构，先由半导体衬底的正面进行半切割后，再在其正面设置保护膜，然后在从半导体衬底衬底的背面进行减薄处理，来分离各个半导体单元结构，从而可以既能减小切割深度，以减少切割刀具的过渡使用，还能在分离各个半导体单元的过程中，避免半导体衬底的有源面的损伤，以及防止各个半导体单元在分离过程中位置的偏移。此外，依据本发明提供的半导体工艺，采用所述保护膜保护半导体衬底的正面后，再进行塑封工艺和塑封料的切割工艺，避免了塑封工艺对半导体衬底正面的不良影响，且最终形成的半导体结构的六个表面均有保护层，可以防止外部环境对半导体结构的不利影响，提高了半导体结构的可靠性。

主权项

一种半导体工艺，其特征在于，包括：沿半导体衬底正面的切割道进行预定深度的切割，在所述半导体衬底的正面贴一层保护膜，对所述半导体衬底的背面进行减薄处理，以将所述半导体衬底中的多个半导体单元结构分离。