[发明专利]低阻抗接触窗插塞的形成方法

摘要

一种低阻抗接触窗插塞的形成方法，包含形成第一与第二接触窗开口，以分别显露第一及第二源极/漏极区；形成罩幕层，其具有分别在第一和第二接触窗开口中的第一部分和第二部分；分别形成第一和第二牺牲层间介电层于第一和第二接触窗开口中；从第一接触窗开口移除第一牺牲层间介电层；填入填充材至第一接触窗开口中；及，蚀刻第二牺牲层间介电层。填充材保护罩幕层的第一部分，以避免被蚀刻。层间介电层形成于第二接触窗开口中及罩幕层的第二部分上。使用湿式蚀刻移除填充材和罩幕层的第一部分，以显露出第一接触窗开口。接触窗插塞是形成于第一接触窗开口中。

主权项

1.一种低阻抗接触窗插塞的形成方法，其特征在于，包含：形成一第一接触窗开口与一第二接触窗开口，以分别显露出一第一源极/漏极区以及一第二源极/漏极区；形成一罩幕层，该罩幕层包含分别在该第一接触窗开口和该第二接触窗开口中的一第一部分和一第二部分；分别形成一第一牺牲层间介电层和一第二牺牲层间介电层于该第一接触窗开口和该第二接触窗开口中；从该第一接触窗开口中移除该第一牺牲层间介电层；填充一填充材至该第一接触窗开口中；蚀刻该第二牺牲层间介电层，其中该填充材保护该罩幕层的该第一部分，以避免被蚀刻；形成一层间介电层于该第二接触窗开口中并于该罩幕层的该第二部分上；使用湿式蚀刻移除该填充材与该罩幕层的该第一部分，以显露出该第一接触窗开口；以及形成一接触窗插塞于该第一接触窗开口中。