[发明专利]分析β‑SiC过渡层对金刚石膜形核生长影响的方法在审
| 申请号： | 201710487136.3 | 申请日： | 2017-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN107340307A | 公开（公告）日： | 2017-11-10 |
| 发明（设计）人： | 于翔;刘飞;任毅;张震 | 申请（专利权）人： | 中国地质大学（北京） |
| 主分类号： | G01N23/22 | 分类号： | G01N23/22;G01N23/207;G01N21/65;G01N3/08;C23C14/54;C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司11279 | 代理人： | 蒋常雪 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种分析β‑SiC过渡层对金刚石膜形核生长影响的方法。所述方法采用中频磁控溅射技术在硬质合金基体上沉积SiC过渡层，通过对沉积温度的调控，获得不同表面形貌和组织特性的β‑SiC过渡层；利用热丝化学气相沉积在SiC过渡层表面沉积金刚石薄膜；利用扫描电镜观察样品的表面形貌，利用X射线衍射检测过渡层的组成、晶粒取向及结构变化，利用拉曼光谱表征金刚石薄膜的纯度和内应力的变化，利用微米压痕测试金刚石薄膜的机械性能。所述方法通过研究沉积温度对磁控溅射β‑SiC过渡层表面形貌和组织特性的影响，低温沉积β‑SiC过渡层表面形貌和组织特性对金刚石薄膜形核及生长的影响，揭示了β‑SiC过渡层影响金刚石形核及生长的作用机理。 | ||
| 搜索关键词： | 分析 sic 过渡 金刚石 膜形核 生长 影响 方法 | ||
【主权项】：
一种分析β‑SiC过渡层对金刚石膜形核生长影响的方法，其特征在于：所述方法采用中频磁控溅射技术在硬质合金基体上沉积SiC过渡层，通过控制Si靶的溅射功率和乙炔气体的流量来实现Si元素与C元素的反应，通过对沉积温度的调控，获得不同表面形貌和组织特性的β‑SiC过渡层；利用热丝化学气相沉积在SiC过渡层表面沉积金刚石薄膜，利用扫描电镜观察样品的表面形貌，利用X射线衍射检测过渡层的组成、晶粒取向及结构变化，利用拉曼光谱表征金刚石薄膜的纯度和内应力的变化，利用微米压痕测试金刚石薄膜的机械性能；研究沉积温度对磁控溅射β‑SiC过渡层表面形貌和组织特性的影响，探索低温沉积β‑SiC过渡层表面形貌和组织特性对金刚石薄膜形核及生长的影响，澄清β‑SiC过渡层影响金刚石形核及生长的作用机理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国地质大学（北京），未经中国地质大学（北京）许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710487136.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
