[发明专利]一种基于斜向ZnO纳米线/GaN pn结的LED及制备方法有效
| 申请号： | 201710481596.5 | 申请日： | 2017-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN107342351B | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 高志远;赵立欢;张洁;薛晓玮;邹德恕 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/16;H01L33/36;H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 张立改 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种基于斜向ZnO纳米线/GaN pn结的LED及制备方法，涉及半导体的技术领域。本发明通过在半极性GaN外延层上生长斜向ZnO纳米线阵列，提高LED的光取出率和发光面积，实现在蓝紫光波段的高效发光。其中，半极性面(11‑22)的GaN层包括生长在m面Al2O3衬底上未掺杂的GaN层和其上掺Mg的p型GaN层；ZnO纳米线阵列直接由水热法生长在半极性GaN面上，为n型掺杂，斜向生长，与生长平面的夹角为30～35度；将斜向ZnO纳米线阵列用聚合物填充后，再在其上一层制作导电薄膜，作为负极，而正极位于GaN层上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 zno 纳米 ganpn led 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于斜向ZnO纳米线/GaN pn结的LED，其特征在于，n型斜向生长的ZnO纳米线阵列生长于p型半极性面(11‑22)GaN外延层，斜向ZnO纳米线阵列中的空隙被聚合物填充，聚合物填充的斜向ZnO纳米线阵列的上面为一层导电薄膜，作为负极，斜向生长的ZnO纳米线阵列的顶端伸入到导电薄膜内；正极位于斜向生长的ZnO纳米线阵列侧旁的p‑GaN层台面上。
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