[发明专利]功率半导体装置有效
| 申请号： | 201710469418.0 | 申请日： | 2017-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN107527943B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 金莹俊;禹赫;金台烨;赵汉信;朴泰泳;李珠焕 | 申请（专利权）人： | 现代摩比斯株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 梁丽超;田喜庆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及功率半导体装置。本发明提供了一种半导体装置，其包括：衬底，包括有源区域和边缘区域并且包含掺杂有具有第一导电类型的杂质的半导体；绝缘膜，设置在衬底的边缘区域上；场板图案，设置在绝缘膜上；以及具有第二导电类型的至少一个第一掺杂区域，被埋入衬底的边缘区域中并且在具有平行于衬底的上表面的矢量分量的方向上延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种功率半导体装置，包括：衬底，包括有源区域和边缘区域并且包含掺杂有具有第一导电类型的杂质的半导体；绝缘膜，设置在所述衬底的所述边缘区域上；场板图案，设置在所述绝缘膜上；以及具有第二导电类型的至少一个第一掺杂区域，被埋入在所述衬底的所述边缘区域中并且在具有平行于所述衬底的上表面的矢量分量的方向上延伸。
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