[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201710468976.5 | 申请日： | 2017-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN109103252B | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有鳍部；在所述半导体衬底表面形成覆盖鳍部部分侧壁的目标隔离层，目标隔离层包括位于半导体衬底表面且与鳍部邻接的第一目标区、以及位于半导体衬底表面且与第一目标区邻接的第二目标区，所述第一目标区中具有凹陷，所述凹陷的侧壁暴露出鳍部；形成目标隔离层后，形成栅极结构，所述栅极结构横跨鳍部、覆盖鳍部的部分顶部表面和部分侧壁表面，且所述栅极结构位于目标隔离层表面和所述凹陷中。所述方法使半导体器件的性能提高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有鳍部；在所述半导体衬底表面形成覆盖鳍部部分侧壁的目标隔离层，目标隔离层包括位于半导体衬底表面且与鳍部邻接的第一目标区、以及位于半导体衬底表面且与第一目标区邻接的第二目标区，所述第一目标区中具有凹陷，所述凹陷的侧壁暴露出鳍部；形成目标隔离层后，形成栅极结构，所述栅极结构横跨鳍部、覆盖鳍部的部分顶部表面和部分侧壁表面，且所述栅极结构位于目标隔离层表面和所述凹陷中。
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