[发明专利]一种Ⅲ-Ⅴ族半导体材料刻蚀方法有效
| 申请号： | 201710464689.7 | 申请日： | 2017-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN107507770B | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 尚飞;冯晓芳 | 申请（专利权）人： | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;C23F1/12 |
| 代理公司： | 北京睿博行远知识产权代理有限公司 11297 | 代理人： | 龚家骅 |
| 地址： | 266555 山东省青*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请提出了一种Ⅲ‑Ⅴ族半导体材料刻蚀方法，该方法包括，在预设条件下使用刻蚀混合气体对刻蚀腔中的Ⅲ‑Ⅴ族半导体材料进行刻蚀，其中，所述刻蚀混合气体包括，甲烷、氢气、氩气以及氯基气体，所述刻蚀混合气体中各所述气体的体积比为，甲烷：氢气：氩气：氯基气体＝1:3:1:1～1：3:2：3。本申请提出的刻蚀方法可以实现在50℃的环境下对Ⅲ‑Ⅴ族半导体材料进行刻蚀深度为10μm的深度刻蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体材料 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种Ⅲ‑Ⅴ族半导体材料刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤，将待刻蚀的Ⅲ‑Ⅴ族半导体材料置于刻蚀腔中，在预设条件下使用刻蚀混合气体对半导体芯片进行刻蚀，其中，所述刻蚀混合气体包括，甲烷、氢气、氩气以及氯基气体，所述刻蚀混合气体中各所述气体的体积比为，甲烷：氢气：氩气：氯基气体＝1:3:1:1～1:3:2:3；在使用刻蚀混合气体甲烷、氢气、氩气以及氯基气体对半导体芯片进行刻蚀之前，在预设条件下使用辅刻蚀混合气体刻蚀半导体芯片到预设深度，所述辅刻蚀混合气体包括甲烷、氢气、氩气，所述辅刻蚀混合气体中各所述气体的体积分比为，甲烷：氢气：氩气＝1:3:1～5:10:3。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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