[发明专利]电阻式存储器及其电阻式存储单元的恢复电阻窗口方法有效
| 申请号： | 201710463294.5 | 申请日： | 2017-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN109147844B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 王炳琨;廖绍憬;林铭哲;魏敏芝;周诠胜 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电阻式存储器及其电阻式存储单元的恢复电阻窗口方法。于第一期间，过重置电压差被施加于电阻式存储单元的上电极与下电极之间，其中该过重置电压差落于电阻式存储单元的重置互补切换电压范围。于第二期间，设定电压差被施加于电阻式存储单元的上电极与下电极之间，以增加电阻式存储单元的限电流。于第三期间，对电阻式存储单元进行重置操作。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 存储器 及其 存储 单元 恢复 窗口 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电阻式存储单元的恢复电阻窗口方法，其特征在于，所述恢复电阻窗口方法包括：于第一期间施加过重置电压差于电阻式存储单元的上电极与下电极之间，其中所述过重置电压差落于所述电阻式存储单元的重置互补切换电压范围；于第二期间施加设定电压差于所述电阻式存储单元的所述上电极与所述下电极之间，以增加所述电阻式存储单元的限电流；以及于第三期间对所述电阻式存储单元进行第一重置操作。
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