[发明专利]一种柔性结构支撑衬底的制备方法在审
申请号: | 201710455849.1 | 申请日: | 2017-06-16 |
公开(公告)号: | CN107275186A | 公开(公告)日: | 2017-10-20 |
发明(设计)人: | 毛明明;马涤非;张露;黄珊珊;张小宾 | 申请(专利权)人: | 中山德华芯片技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人: | 冯炳辉 |
地址: | 528437 广东省中山*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种柔性结构支撑衬底的制备方法,该方法是将铁氟龙薄膜贴在需要粘结的外延片表面,利用铁氟龙薄膜的极度耐腐蚀性及热塑性,确定特定厚度的薄膜,在高温下进行处理,薄膜在高温下呈现微熔特性,高温处理完毕后再进行降温处理,又将重新转为固态,从而将薄膜与外延片进行粘接,在衬底剥离过程中起到支撑的作用。本发明方法简单易行,重复性优良。更重要的是,薄膜在保持对外延功能结构层进行支撑的情况下能保证柔韧性,满足柔性器件应用场合的需要。 | ||
搜索关键词: | 一种 柔性 结构 支撑 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种柔性结构支撑衬底的制备方法,其特征在于:该方法是将铁氟龙薄膜贴在需要粘结的外延片表面,利用铁氟龙薄膜的极度耐腐蚀性及热塑性,确定特定厚度的薄膜,在高温下进行处理,薄膜在高温下呈现微熔特性,高温处理完毕后再进行降温处理,又将重新转为固态,从而将薄膜与外延片进行粘接,在衬底剥离过程中起到支撑的作用;其包括以下步骤:1)将生长完毕的外延片进行有机清洗及表面氧化物清洗,以提高金属层在外延片表面的粘合力,其中,所述外延片包括从下至上依次层叠设置的衬底、AlAs牺牲层、器件功能结构层;2)将清洗完毕的外延片移至电子束蒸发设备,采用电子束蒸发的方式进行金属蒸镀,蒸镀完毕进行快速热退火,使之形成欧姆接触;3)将铁氟龙薄膜贴至已进行金属制备的外延片表面;4)将贴好的外延片放至退火炉进行高温处理;5)冷却后得到粘接完好的外延片,此时能够进行后续衬底剥离过程,粘接完好的薄膜将对剥离下的柔性结构提供良好的支撑。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山德华芯片技术有限公司,未经中山德华芯片技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710455849.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:激光退火装置及其退火工艺
- 下一篇:自支撑氮化镓层及其制备方法、退火方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造