[发明专利]一种柔性结构支撑衬底的制备方法在审
申请号: | 201710455849.1 | 申请日: | 2017-06-16 |
公开(公告)号: | CN107275186A | 公开(公告)日: | 2017-10-20 |
发明(设计)人: | 毛明明;马涤非;张露;黄珊珊;张小宾 | 申请(专利权)人: | 中山德华芯片技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人: | 冯炳辉 |
地址: | 528437 广东省中山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 柔性 结构 支撑 衬底 制备 方法 | ||
1.一种柔性结构支撑衬底的制备方法,其特征在于:该方法是将铁氟龙薄膜贴在需要粘结的外延片表面,利用铁氟龙薄膜的极度耐腐蚀性及热塑性,确定特定厚度的薄膜,在高温下进行处理,薄膜在高温下呈现微熔特性,高温处理完毕后再进行降温处理,又将重新转为固态,从而将薄膜与外延片进行粘接,在衬底剥离过程中起到支撑的作用;其包括以下步骤:
1)将生长完毕的外延片进行有机清洗及表面氧化物清洗,以提高金属层在外延片表面的粘合力,其中,所述外延片包括从下至上依次层叠设置的衬底、AlAs牺牲层、器件功能结构层;
2)将清洗完毕的外延片移至电子束蒸发设备,采用电子束蒸发的方式进行金属蒸镀,蒸镀完毕进行快速热退火,使之形成欧姆接触;
3)将铁氟龙薄膜贴至已进行金属制备的外延片表面;
4)将贴好的外延片放至退火炉进行高温处理;
5)冷却后得到粘接完好的外延片,此时能够进行后续衬底剥离过程,粘接完好的薄膜将对剥离下的柔性结构提供良好的支撑。
2.根据权利要求1所述的一种柔性结构支撑衬底的制备方法,其特征在于:在步骤1)中,进行的有机清洗及表面氧化物清洗依次包括:丙酮超声清洗5-7分钟;异丙醇超声清洗5-7分钟;稀释的盐酸溶液50秒至70秒,稀释配比为HCl:H2O=1:1;BOE溶液50秒至70秒。
3.根据权利要求1所述的一种柔性结构支撑衬底的制备方法,其特征在于:在步骤1)中,所述AlAs牺牲层厚度为5-15nm。
4.根据权利要求1所述的一种柔性结构支撑衬底的制备方法,其特征在于:在步骤1)中,所述金属层中的金属选择有金粒、金锗镍粒、银粒、铂金粒,依据生长的外延层接触层种类和掺杂类型而定。
5.根据权利要求1所述的一种柔性结构支撑衬底的制备方法,其特征在于:在步骤2)中,蒸镀时,真空度控制在1E-7Torr之上,蒸镀速率设定在2.5埃每秒至3.5埃每秒,蒸镀厚度为3微米至5微米。
6.根据权利要求1所述的一种柔性结构支撑衬底的制备方法,其特征在于:在步骤3)中,所述铁氟龙薄膜的厚度为50微米,形状为圆形,直径比待剥离的外延片直径大3厘米。
7.根据权利要求1所述的一种柔性结构支撑衬底的制备方法,其特征在于:在步骤4)中,高温处理温度为340度,且通以氮气气氛,流量2L/min,高温处理时间为2分钟。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造