[发明专利]未加顶部标准单元重新配置方法、可读介质和半导体装置

摘要

方法用于在半导体装置的布局中重新配置未加顶部标准单元组。每个未加顶部标准单元包括第一标准阵列。每个第一标准阵列包括散布的通孔与对应的M(i)～M(N)金属化层的第一区段的第一堆叠布置。M(N)金属化层包括连接第一标准阵列中的M(N)金属化层的对应的第一区段的第二区段。该方法包括利用对应的第二标准单元加顶部于该组中的每个第一标准单元。每个第二标准阵列包括散布的通孔与对应的M(N+1)～M(N+Q)金属化层的对应的第一区段的第二堆叠布置。该方法还包括将第二区段添加到M(N+Q)层，第二区段连接对应的第二标准阵列中的M(N+Q)金属化层的对应的第一区段。本发明还提供了计算机可读介质和半导体装置。

主权项

一种重新配置未加顶部标准单元组的方法，所述未加顶部标准单元组在半导体装置的布局中，其中，每个未加顶部标准单元包括第一标准阵列；每个第一标准阵列包括散布的通孔与对应的M(i)～M(N)金属化层的对应的一个或多个第一区段的第一堆叠布置；以及其中，所述M(N)金属化层包括一个或多个第二区段，所述第二区段连接所述组中每个所述未加顶部标准单元的所述第一标准阵列中的所述M(N)金属化层的对应的第一区段；所述方法，包括：利用对应的第二标准阵列加顶部于所述组中的每个第一标准阵列，从而得到对应的加顶部标准单元；其中，每个第二标准阵列包括散布的通孔与对应的M(N+1)～M(N+Q)金属化层的对应的一个或多个第一区段的第二堆叠布置；以及将一个或多个第二区段添加到所述M(N+Q)层，所述第二区段连接对应的所述第二标准阵列中的所述M(N+Q)金属化层的对应的第一区段，从而得到所述布局；其中，i、N和Q是非负整数，i≤N并且1≤Q；以及其中，通过计算机的处理器执行断开、所述加顶部和所述添加中的至少一个。